[实用新型]包括结型场效应晶体管的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于包括结型场效应晶体管，所述结型场效应晶体管包括：

半导体衬底，具有第一掺杂类型并作为结型场效应晶体管的漏极区；

外延层，位于半导体衬底上，具有第一掺杂类型；

体区，位于外延层中，具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型是相反的掺杂类型；

源极区，位于外延层中，具有第一掺杂类型；以及

栅极区，位于体区中，具有第二掺杂类型，

其中，所述结型场效应晶体管还包括屏蔽层，屏蔽层具有第二掺杂类型，位于外延层的内部，并且位于源极区和漏极区之间的导电路径中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于外延层的位于体区和屏蔽层之间的一部分为夹断区。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于体区是围绕外延层的一部分的环形，并且源极区位于该部分的外延层中。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于屏蔽层的横向截面的形状与有源区的形状一致。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于结型场效应晶体管还包括沟槽栅极和栅介质层，该沟槽栅极位于外延层中，并且由栅介质层与外延层隔开。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于外延层的位于沟槽栅极和屏蔽层之间的一部分为夹断区。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件，其特征在于还包括沟槽MOSFET，该沟槽MOSFET包括：/

所述半导体衬底，作为漏极区；

所述外延层；

所述体区；

源极区，位于外延层中，具有第一掺杂类型；

沟槽栅极，穿过所述体区进入所述外延层中；以及

栅介质层，将沟槽栅极与所述体区和所述外延层隔开。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件，其特征在于还包括平面MOSFET，该平面MOSFET包括：

所述半导体衬底；

所述外延层；

所述体区；

源极区和漏极区，位于所述体区中，具有第一掺杂类型；

栅极导体，位于源极区和漏极区之间的体区上；以及

栅介质层，位于栅极导体和体区之间，将栅极导体与所述体区隔开。