[实用新型]宽脉冲频率调节范围的半导体激光泵浦全固态激光器

权利要求书

1.一种宽脉冲频率调节范围的半导体激光泵浦全固态激光器，包括：

半导体激光器（1），半导体激光器座（2），光学耦合镜组（3），光学耦合镜组座（4），反射腔镜（5），反射腔镜座（6），激光晶体（7），激光晶体座（8），被动调Q晶体（9），被动调Q晶体座（10），输出腔镜（13），输出腔镜座（14），基板（15），以及外壳（16）；所述半导体激光器（1）固定于半导体激光器座（2）上；光学耦合镜组（3）固定于光学耦合镜组座（4）中；反射腔镜（5）固定在反射腔镜座（6）内；激光晶体（7）固定在激光晶体座（8）内；被动调Q晶体（9）固定在被动调Q晶体座（10）内；输出腔镜（13）固定在输出腔镜座（14）内；输出腔镜座（14）均固定在基板（15）上，罩在外壳（16）中；输出腔镜（13）和反射腔镜（5）对称放置；

其特征在于，该激光器在被动调Q晶体（9）和输出腔镜（13）间的光路中，还设有可变衰减器（11）和可变衰减器旋转驱动器（12），所述可变衰减器（11）固定在可变衰减器旋转驱动器（12）上；

所述可变衰减器（11）和可变衰减器旋转驱动器（12）可以使通过的激光的频率调整为符合被动调Q晶体（9）的初始透过率的频率。

2.根据权利要求1所述的宽脉冲频率调节范围的半导体激光泵浦全固态激光器，其特征在于，所述激光晶体（7）的靠近半导体激光器（1）的端面镀膜为泵浦光和基频光的增透膜系。

3.根据权利要求1或2所述的宽脉冲频率调节范围的半导体激光泵浦全固态激光器，其特征在于，所述可变衰减器（11）双面都设有宽带的多层增透膜，其中一面还镀有NiCrFe宽带减光膜。

4.根据权利要求3所述的宽脉冲频率调节范围的半导体激光泵浦全固态激光器，其特征在于，所述NiCrFe宽带减光膜工作在可见光区和近红外光区。

5.根据权利要求1所述的宽脉冲频率调节范围的半导体激光泵浦全固态激光器，其特征在于，所述可变衰减器（11）的基底材料为K9玻璃，双面的平行度优于30秒。