[实用新型]互补金属氧化物半导体影像传感器测试辅助装置有效

专利信息
申请号: 201220413745.7 申请日: 2012-08-20
公开(公告)号: CN202793741U 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 卞志佳;陈婷 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G01M11/02 分类号: G01M11/02
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 互补 金属 氧化物 半导体 影像 传感器 测试 辅助 装置
【权利要求书】:

1.一种互补金属氧化物半导体影像传感器测试辅助装置,其特征在于,包括:一探针卡、一铝合金组件、一光源及一控制器;其中所述铝合金组件通过固定压杆安装在所述探针卡上,所述光源安装在所述铝合金组件的上,所述控制器与所述光源相连接。

2.如权利要求1所述互补金属氧化物半导体影像传感器测试辅助装置,其特征在于:所述的铝合金组件由铝合金件叠加而成。

3.如权利要求1所述互补金属氧化物半导体影像传感器测试辅助装置,其特征在于:所述探针卡的对角上设置有固定孔。

4.如权利要求1所述互补金属氧化物半导体影像传感器测试辅助装置,其特征在于:所述探针卡的上表面设置一凹槽。

5.如权利要求1所述互补金属氧化物半导体影像传感器测试辅助装置,其特征在于:所述探针卡的两侧设置有多个预留孔。

6.如权利要求2所述互补金属氧化物半导体影像传感器测试辅助装置,其特征在于:所述铝合金件的对角上设置有固定孔。

7.如权利要求2所述互补金属氧化物半导体影像传感器测试辅助装置,其特征在于:所述铝合金件的上表面设置一凹槽。

8.如权利要求2所述互补金属氧化物半导体影像传感器测试辅助装置,其特征在于:所述铝合金件的两侧设置有多个预留孔。

9.如权利要求2所述互补金属氧化物半导体影像传感器测试辅助装置,其特征在于:所述铝合金件的下表面设置有一下凸槽。

10.如权利要求1所述互补金属氧化物半导体影像传感器测试辅助装置,其特征在于:所述光源上设置有与所述铝合金件预留孔位置对应的多个开孔。

11.如权利要求9所述互补金属氧化物半导体影像传感器测试辅助装置,其特征在于:所述铝合金件的下凸槽的长宽高的尺寸均比所述铝合金件的凹槽的长宽高的尺寸小。

12.如权利要求9所述互补金属氧化物半导体影像传感器测试辅助装置,其特征在于:所述铝合金件的下凸槽的长宽高的尺寸均比所述探针卡的凹槽的长宽高的尺寸小。

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