[实用新型]辐射温度场加速腐蚀的研抛装置有效
| 申请号： | 201220407154.9 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN202825476U | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 马臻;许亮;丁蛟腾;陈钦芳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | B24B13/00 | 分类号： | B24B13/00;B24B13/005 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 杨引雪 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 辐射 温度场 加速 腐蚀 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种辐射温度场加速腐蚀的研抛装置，包括用于承载被加工元件的承载机构，其特征在于：还包括腐蚀液储液槽，承载机构使被加工元件全部浸泡在腐蚀液储液槽内；配置有透明磨具，与被加工工件机械接触；温度场生成设备与控制机构连接；所述承载机构和腐蚀液储液槽均固定设置于旋转轴上。
2.根据权利要求1所述的射温度场加速腐蚀的研抛装置，其特征在于：所述承载机构、腐蚀液储液槽、磨具和温度场生成设备均设置在密闭空间内。
3.根据权利要求2所述的射温度场加速腐蚀的研抛装置，其特征在于：所述控制机构包括与温度场生成设备连接的控制器，控制器还与工业PC连接。
4.根据权利要求3所述的射温度场加速腐蚀的研抛装置，其特征在于：所述温度场生成设备是微波辐射式温度场生成设备或投影式温度场生成设备。
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