[实用新型]化学气相沉积设备

权利要求书

1.一种化学气相沉积设备，其包括腔体、冷却装置、设置在所述腔体内的顶板和衬底支撑座，所述顶板与所述衬底支撑座相对设置，所述顶板具有与所述衬底支撑座相对的第一表面，所述衬底支撑座具有面向所述顶板的衬底支撑面，待处理衬底设置与所述衬底支撑面，所述冷却装置用于冷却所述顶板，其特征在于：所述冷却装置包括至少两个冷却单元，每个冷却单元对应所述顶板的不同区域，所述至少两个冷却单元相互独立地对所述顶板进行冷却以控制所述第一表面的温度分布。

2.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述至少两个冷却单元包括第一冷却单元和第二冷却单元，所述顶板具有中心区域和围绕所述中心区域的边缘区域，所述第一冷却单元对应所述中心区域，所述第二冷却单元对应所述边缘区域。

3.如权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于：第一冷却单元与所述顶板之间的距离小于所述第二冷却单元与所述顶板之间的距离。

4.如权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述第一冷却单元对所述顶板的冷却能力强于所述第二冷却单元。

5.如权利要求2所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述第一冷却单元包括主冷却模块和中心冷却模块，所述主冷却模块围绕所述中心冷却模块，所述顶板包括中心部和主体部，所述中心部位于所述中心区域的中心，所述主体部位于所述中心部与所述边缘区域之间，所述中心冷却模块对应所述中心部，所述主冷却模块对应所述主体部，所述中心冷却模块和所述主冷却模块相互独立地对所述顶板进行冷却。

6.如权利要求1至5中任一项所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述冷却装置使得所述顶板的第一表面温度均匀或所述冷却装置使得位于所述顶板边缘区域的第一表面温度高于位于所述顶板中心区域的第一表面温度。

7.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述化学气相沉积设备包括一喷淋头结构，所述喷淋头结构与所述衬底支撑座相对设置，所述顶板为所述喷淋头结构临近所述衬底支撑座的一侧的气体分配板，所述冷却装置为冷却腔或冷却管道，所述冷却腔或冷却管道设置于所述气体分配板背离所述衬底支撑座一侧，所述喷淋头结构进一步包括一设置在所述气体分配板背离所述衬底支撑座一侧的气体扩散腔，所述冷却腔或冷却管道设置在所述气体扩散腔与所述气体分配板之间。

8.如权利要求7所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述化学气相沉积设备为近耦合喷淋头金属有机化学气相沉积(CCS-MOCVD)设备。

9.如权利要求1所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述化学气相沉积设备进一步包括至少两个温度探测器和探测孔，所述顶板还包括背离所述衬底支撑座的第二表面，所述探测孔从所述腔体的外侧向所述腔体内延伸，并从所述顶板的第二表面一侧延伸至所述顶板，但不穿透所述顶板；所述温度探测器通过所述探测孔分别对应探测所述至少两个冷却单元对应的所述顶板不同区域所述顶板的温度，以获得不同区域的第一表面温度，所述化学气相沉积设备根据每一温度探测器探测到的温度值对应控制所述温度探测器对应的冷却单元的冷却。

10.如权利要求9所述的化学气相沉积设备，其特征在于：所述化学气相沉积设备进一步包括温度校正单元，所述获得所述顶板第一表面的温度是通过所述温度校正单元获取所述温度探测器探测到的温度值并对所述温度值进行校正而获得。