[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.薄膜晶体管，包括形成在基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、电极金属层和钝化层；电极金属层包括源电极和漏电极，源电极和漏电极互相隔离，之间为沟道区域；其特征在于，所述有源层和电极金属层之间形成有第二透明导电层。

2.如权利要求1中所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极和基板之间形成有第一透明导电层。

3.如权利要求2中所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极与电极金属层的材料为铜；所述第一透明导电层与栅极之间和/或第二透明导电层与电极金属层之间分别形成有一层金属层，所述金属层的材料为钼、铝、钕、钛或者其合金中的一种。

4.如权利要求1中所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为非晶硅或氧化物半导体材料。

5.如权利要求2中所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一透明导电层和/或第二透明导电层为锌氧化物，铟锡氧化物、铟锌氧化物、聚乙撑二氧噻吩或石墨烯材料。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的薄膜晶体管。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上设置有像素电极和公共电极，所述像素电极和所述公共电极设置在所述阵列基板的不同层，所述像素电极和所述公共电极之间设置有绝缘层，所述像素电极的形状为狭缝状。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极和第一透明导电层采用相同的材料，且两者在同一次光刻工艺中形成；所述像素电极和第二透明导电层采用相同的材料，且两者在同一次光刻工艺中形成。

9.一种显示装置，其特征在于，包括上述权利要求6-8中任一项所述的阵列基板。