[实用新型]一种超快软恢复二极管模块的电极结构有效

专利信息
申请号: 201220273324.9 申请日: 2012-06-11
公开(公告)号: CN202712166U 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 董建平;梁思平;管功湖 申请(专利权)人: 临海市志鼎电子科技有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/367
代理公司: 台州市方圆专利事务所 33107 代理人: 蔡正保;张智平
地址: 317000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 超快软 恢复 二极管 模块 电极 结构
【权利要求书】:

1.一种超快软恢复二极管模块的电极结构,所述的超快软恢复二极管模块的电极结构设置在超快软恢复二极管模块中,其特征在于,所述的超快软恢复二极管模块的电极(1)结构包括若干个电极(1)和连接部(4),所述的电极(1)与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片焊接,所述的若干个电极(1)通过连接条(2)与连接部(4)连接。

2.根据权利要求1所述的超快软恢复二极管模块的电极结构,其特征在于,所述的若干个电极(1)以连接部(4)为轴两两对称,且电极(1)与连接部(4)连接的连接条(2)长度相等。

3.根据权利要求2所述的超快软恢复二极管模块的电极结构,其特征在于,所述的连接条(2)上设有用于减少焊接时电极(1)产生的应力的弯曲部(3)。

4.根据权利要求1或2或3所述的超快软恢复二极管模块的电极结构,其特征在于,所述的电极(1)为正方形结构且形状小于超快软恢复二极管模块中的二极管芯片。

5.根据权利要求4所述的超快软恢复二极管模块的电极结构,其特征在于,所述的电极(1)与超快软恢复二极管模块中的二极管芯片接触的外圈粘帖有绝缘层。

6.根据权利要求4所述的超快软恢复二极管模块的电极结构,其特征在于,所述的电极(1)为四个,且两两平行与连接部(4)构成H型结构。

7.根据权利要求6所述的超快软恢复二极管模块的电极结构,其特征在于,所述的电极(1)、连接条(2)和连接部(4)通过冲压一体成型。

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