[实用新型]晶体微缺陷扫描仪有效

专利信息
申请号: 201220161303.8 申请日: 2012-04-17
公开(公告)号: CN202583078U 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 谢历铭 申请(专利权)人: 宜兴爱特盟光电科技有限公司
主分类号: G01N21/88 分类号: G01N21/88
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214200 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 晶体 缺陷 扫描仪
【说明书】:

技术领域:

实用新型涉及一种检测设备,具体涉及一种晶体微缺陷扫描仪。

背景技术:

在现代节能照明(LED)、太阳能发电和平板显示工业中,一般是将集成电路级别的发光、发电、显示电路单元刻蚀或生长在红宝石、蓝宝石、玻璃等晶体结晶制成的基板上,再经过切割、封装等工艺制成模组,故晶体基板本身在抛光、镀膜过程中所产生的划痕、镀膜缺陷等不良,会对终端制成品的良率有极大的影响。

现有的检测技术主要是采用在显微镜协助下进行人工目测的方式,对基板进行缺陷检查及标注。此类方法的核心缺点如下:

1、由于微细划痕和镀膜缺陷不易辨认,采用人工目测的方法,在大批量的生产过程中,极易产生视疲劳,由此引起大量的误检及漏检,产成品良率难以保证。

2、人工目测的方法,效率极其低下,例如检测一块直径为3英寸(约75毫米)的LED外延片,熟练培训的操作工也需要至少10分钟的时间;

3、人工目测的方法,对于检出的缺陷无法快速标注,且不能留下图像性的记录,当产成品出厂后遇到退货时,无法准确定位产生不良的工序,也给厂家和用户之间的责任认定带来困难,对生产厂家不利。

实用新型内容:

本实用新型的目的是提供晶体微缺陷扫描仪,它能实现对晶体类产品如LED外延片、薄膜太阳能电池基板、液晶面板等在抛光及镀膜工艺过程中所产生的微细缺陷进行快速全自动扫描分析的能力;最精细级别的缺陷分辨率可达2微米。

为了解决背景技术所存在的问题,本实用新型是采用以下技术方案:它包含激光发生器1、散射信号收集器2、立柱3、双轴自控台4、底座5、大理石平台6、隔震调平系统7、柜架8、配电箱9、主机10、悬臂11、电脑显示器12、输入设备13;激光发生器1通过螺纹连接固定于立柱3上,散射信号收集器2通过螺纹连接固定于激光扫描系统1下部,双轴自控台4通过螺纹连接固定在底座5上,立柱3与底座5均通过螺纹连接固定于大理石平台6上,大理石平台6与柜架8之间装设有隔震调平系统7,配电箱9与电脑主机10放置于柜架8内,悬臂11通过螺纹连接固定于柜架8侧面,电脑显示器12通过螺纹连接固定于悬臂11上,输入设备13安装于悬臂11板上。

本实用新型采用全自动扫描的方式实现对小至2微米的缺陷进行辨识和分析,可确保无误检、无漏检,不依赖于操作工的个人经验,保障了产成品的良率;同时采用激光扫描的方式,对散射信号进行快速的收集和分析,准确定位缺陷产生的位置,极大的提升了检测效率,例如检测一块直径为3英寸(约75毫米)的LED外延片,整个扫描及分析的流程只需要20秒钟的时间;采用自动化的分析和记录系统,为每一片产品留有完整的图像记录,使任何不良品的产生,都具备工艺追查的可溯源性。

本实用新型具有以下有益效果:能实现对晶体类产品如LED外延片、薄膜太阳能电池基板、液晶面板等在抛光及镀膜工艺过程中所产生的微细缺陷进行快速全自动扫描分析的能力;最精细级别的缺陷分辨率可达2微米。

附图说明:

图1是本实用新型的结构示意图;

图2是图1的主视图;

图3是图1的俯视图。

具体实施方式:

参看图1-3,本具体实施方式采用以下技术方案:它包含激光发生器1、散射信号收集器2、立柱3、双轴自控台4、底座5、大理石平台6、隔震调平系统7、柜架8、配电箱9、主机10、悬臂11、电脑显示器12、输入设备13;激光发生器1通过螺纹连接固定于立柱3上,散射信号收集器2通过螺纹连接固定于激光扫描系统1下部,双轴自控台4通过螺纹连接固定在底座5上,立柱3与底座5均通过螺纹连接固定于大理石平台6上,大理石平台6与柜架8之间装设有隔震调平系统7,配电箱9与电脑主机10放置于柜架8内,悬臂11通过螺纹连接固定于柜架8侧面,电脑显示器12通过螺纹连接固定于悬臂11上,输入设备13安装于悬臂11板上。

本具体实施方式采用全自动扫描的方式实现对小至2微米的缺陷进行辨识和分析,可确保无误检、无漏检,不依赖于操作工的个人经验,保障了产成品的良率;同时采用激光扫描的方式,对散射信号进行快速的收集和分析,准确定位缺陷产生的位置,极大的提升了检测效率,例如检测一块直径为3英寸(约75毫米)的LED外延片,整个扫描及分析的流程只需要20秒钟的时间;采用自动化的分析和记录系统,为每一片产品留有完整的图像记录,使任何不良品的产生,都具备工艺追查的可溯源性。

本具体实施方式能实现对晶体类产品如LED外延片、薄膜太阳能电池基板、液晶面板等在抛光及镀膜工艺过程中所产生的微细缺陷进行快速全自动扫描分析的能力;最精细级别的缺陷分辨率可达2微米。

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