[实用新型]直流/直流转换器、使用其的电源装置以及电子设备有效
| 申请号: | 201220031436.3 | 申请日: | 2012-01-20 |
| 公开(公告)号: | CN202798467U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
| 发明(设计)人: | 名手智 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M1/36 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 直流 转换器 使用 电源 装置 以及 电子设备 | ||
1.一种直流/直流转换器,其特征在于包含:
变压器,其包含一端被施加输入电压的一次线圈、二次线圈及设置在所述一次线圈侧的辅助线圈;
第一输出电容器,其一端的电位被固定,另一端连接于输出端子;
第一二极管,其以阴极成为所述第一输出电容器侧的朝向设置在所述第一输出电容器的另一端与所述二次线圈的一端之间;
开关晶体管,其设置在所述一次线圈的路径上;
第二输出电容器,其一端的电位被固定;
第二整流元件,其以阴极成为所述第二输出电容器侧的朝向设置在所述第二输出电容器的另一端与所述辅助线圈的一端之间;及
控制电路,其控制所述开关晶体管的导通、断开;
所述控制电路包含:
电源端子,其与所述第二输出电容器的另一端连接;
高电压端子,其被输入所述输入电压;
充电用晶体管,其是设置在所述高电压端子与所述电源端子之间且以成为常导通的方式被施加偏压的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管;
电流限制电路,其在所述电源端子的电压低于规定的第一临界电压的第一状态下,限制从所述高电压端子经由所述充电用晶体管向所述电源端子流动的充电电流,在所述电源端子的电压高于比所述第一临界电压规定得高的第二临界电压的第二状态下,将所述充电电流实质上降低为零。
2.根据权利要求1所述的直流/直流转换器,其特征在于,所述电流限制电路包含:
旁路开关,其设置在所述高电压端子与所述电源端子之间的所述充电电流的路径上;及
第一电流源,其将规定的电流供给至所述电源端子;
在所述第一状态下,所述旁路开关断开,所述第一电流源导通;
在所述第二状态下,所述旁路开关及所述第一电流源均断开;
在所述电源端子的电压高于所述第一临界电压且低于所述第二临界电压的第 三状态下,至少所述旁路开关导通。
3.根据权利要求1或2所述的直流/直流转换器,其特征在于:
所述控制电路还包含第一二极管,该第一二极管以阴极成为所述电源端子侧的朝向设置在所述电流限制电路的输出与所述电源端子之间。
4.根据权利要求2所述的直流/直流转换器,其特征在于,所述第一电流源包含:
第一晶体管,其设置在基准电流的路径上;
第二晶体管,其与所述第一晶体管以形成电流镜电路的方式连接,且设置在所述高电压端子与所述电源端子之间;及
控制开关,其与所述第二晶体管串联设置在所述高电压端子与所述电源端子之间。
5.根据权利要求2所述的直流/直流转换器,其特征在于,所述旁路开关包含:
第三晶体管,其是设置在所述高电压端子与所述电源端子的路径上的NPN型双极晶体管;及
偏压电路,其控制所述第三晶体管的基极电流。
6.根据权利要求5所述的直流/直流转换器,其特征在于,所述偏压电路包含:
第四晶体管,其是设置在所述第三晶体管的基极集极间的NPN型双极晶体管;
第二电流源,其设置在所述第三晶体管的基极与接地端子之间;
第三电流源,其对所述第四晶体管的基极供给电流;
第一开关,其设置在所述第四晶体管的基极与接地端子之间;及
第二开关及第二二极管,其串联设置在所述第四晶体管的基极与接地端子之间。
7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的直流/直流转换器,其特征在于,所述电流限制电路还包含:
第一比较器,其将所述电源端子的电压与所述第一临界电压进行比较,生成表示比较结果的第一检测信号;及
第二比较器,其将所述电源端子的电压与所述第二临界电压进行比较,生成表 示比较结果的第二检测信号;
所述电流限制电路的状态是根据所述第一、第二检测信号被控制。
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