[发明专利]边缘场开关模式液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种边缘场开关模式液晶显示装置。

背景技术

边缘场开关（Fringe Field Switching，FFS）模式的液晶显示装置用透明导电材料形成公共电极和像素电极，通过同一平面内像素电极产生边缘电场，使像素电极间以及电极正上方的取向液晶分子都能在其所在点的电场水平分量的作用下在平行于基板的平面方向发生旋转。

图1（a）是现有的边缘场开关液晶显示装置中单个像素的俯视图。该液晶显示装置包括像素阵列，每一像素包括多根带状的像素电极3、平面的公共电极2和黑色矩阵6，所述黑色矩阵6包围的区域均为透光区域。图1（b）是图1（a）中现有的边缘场开关液晶显示装置a-a’处的剖面图，包括下基板1和上基板5，所述下基板1和上基板5以预定的距离D相向配置，在上下基板之间存有液晶层（未示出）。上基板面向下基板1的一侧设有黑色矩阵6，所述透光区域S由所述黑色矩阵包围而成。下基板面向上基板5的一侧设有公共电极2，所述公共电极2上覆有绝缘层4，所述绝缘层4的上部形成像素电极3，并且所述像素电极3之间的距离L小于像素电极3的宽度W以及上、下基板之间的距离D，从而在所述像素电极3上方形成图1所示的抛物线状的电场分布，该电场的水平分量使液晶层的液晶分子在平行于上、下基板的平面方向发生旋转，使光线从透光区域S射出。

上述现有的边缘场开关液晶显示装置中，其有效的开口透过率分布如图2所示，图2中可以看出a处即像素电极覆盖的区域的透过率较低，以及b处即最外侧的像素电极到黑色矩阵边缘的透过率较低，或者说所述透光区域在黑色矩阵边缘处的透过率偏低，以上两个透过率较低的区域影响了该装置整体的透过率。

发明内容

本发明的目的在于提出一种边缘场开关模式液晶显示装置，能够解决现有的FFS液晶显示装置中透光区域在黑色矩阵边缘处的透过率偏低的问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种边缘场开关模式液晶显示装置，包括：相对设置的上基板和下基板，形成于所述上基板的黑色矩阵，形成于所述下基板的像素阵列，每一像素包括依次形成于所述下基板的公共电极、绝缘层和多根带状像素电极；所述每一像素包括被所述黑色矩阵包围的透光区域，所述公共电极包括位于所述透光区域最外侧的带状像素电极下方的开口。

所述开口包括第一开口和第二开口，分别位于所述透光区域最外侧的带状像素电极下方。

所述开口包括第一边和第二边，所述第一边位于所述最外侧像素电极与黑色矩阵之间，所述第二边位于所述最外侧像素电极下方。

所述开口包括第一边和第二边，所述第一边与所述黑色矩阵内侧边缘对齐，所述第二边位于所述最外侧像素电极下方。

所述开口包括第一边和第二边，所述第一边位于所述最外侧像素电极与黑色矩阵之间，所述第二边位于所述最外侧像素电极与相邻像素电极之间。

所述开口包括第一边和第二边，所述第一边与所述黑色矩阵内侧边缘对齐，所述第二边位于所述最外侧像素电极与相邻像素电极之间。所述透光区域除开口之外均覆盖有公共电极。

所述公共电极的材料为ITO或IZO。

所述像素电极的材料为ITO或IZO。

所述像素电极呈直条状或弯曲的折条状。

采用本发明的技术方案能够提高像素电极与黑色矩阵边缘之间的透过率，从而提高了所述液晶显示装置的整体透过率。

附图说明

图1（a）是现有的FFS液晶显示装置的像素俯视示意图；

图1（b）是现有的FFS液晶显示装置的像素剖面示意图；

图2是现有的FFS液晶显示装置的像素透过率分布示意图；

图3（a）是本发明实施例提供的FFS液晶显示装置的像素俯视示意图；

图3（b）是本发明实施例提供的FFS液晶显示装置的像素剖面示意图；

图3（c）是本发明实施例进一步提供的FFS液晶显示装置的像素俯视示意图；

图3（d）是本发明实施例进一步提供的FFS液晶显示装置的像素剖面示意图；

图4是本发明实施例提供的FFS液晶显示装置的像素透过率分布示意图；

图5是本发明实施例提供的FFS液晶显示装置与现有的液晶显示装置整体电压-透过率曲线对比；

图6至图8为本发明实施例提供的另外三种FFS液晶显示装置的像素剖面示意图。

具体实施方式