[发明专利]一种自激式降压电路及灯具

权利要求书

1.一种自激式降压电路，其特征在于，所述自激式降压电路包括：

电阻R1、电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、储能电容C1、滤波电容C2、电感L1、二极管D1、第一开关管、第二开关管和第三开关管；

所述第一开关管的高电位端为输入端，所述第一开关管的低电位端接电感L1的第一端，所述电感L1的第二端为输出端，所述第一开关管的高电位端通过所述电阻R1接第三开关管的高电位端，所述第三开关管的低电位端接地，所述储能电容C1连接在所述第三开关管的高电位端和低电位端之间，所述第二开关管的高电位端通过所述电阻R2接第一开关管的控制端，所述第二开关管的低电位端接地，所述第二开关管的控制端接第三开关管的高电位端，所述二极管D1的阴极接第一开关管的低电位端，所述二极管D1的阳极接地，所述分压电阻R3和分压电阻R4串接在所述电感L1的第二端与地之间，所述分压电阻R3和分压电阻R4的公共连接端接第三开关管的控制端，所述滤波电容C2连接在电感L1的第二端和地之间。

2.如权利要求1所述的自激式降压电路，其特征在于，所述第一开关管采用PNP型三极管Q1，所述PNP型三极管Q1的基极为第一开关管的控制端，所述PNP型三极管Q1的发射极为第一开关管的高电位端，所述PNP型三极管Q1的集电极为第一开关管的低电位端。

3.如权利要求1所述的自激式降压电路，其特征在于，所述第一开关管采用P型MOS管Q4，所述P型MOS管Q4的栅极为第一开关管的控制端，所述P型MOS管Q4的源极为第一开关管的高电位端，所述P型MOS管Q4的漏极为第一开关管的低电位端。

4.如权利要求1所述的自激式降压电路，其特征在于，所述第二开关管采用NPN型三极管Q2，所述NPN型三极管Q2的基极为第二开关管的控制端，所述NPN型三极管Q2的集电极为第二开关管的高电位端，所述NPN型三极管Q2的发射极为第二开关管的低电位端。

5.如权利要求1所述的自激式降压电路，其特征在于，所述第二开关管采用N型MOS管Q5，所述N型MOS管Q5的栅极为第二开关管的控制端，所述N型MOS管Q5的漏极为第二开关管的高电位端，所述N型MOS管Q5的源极为第二开关管的低电位端。

6.如权利要求1所述的自激式降压电路，其特征在于，所述第三开关管采用NPN型三极管Q3，所述NPN型三极管Q3的基极为第三开关管的控制端，所述NPN型三极管Q3的集电极为第三开关管的高电位端，所述NPN型三极管Q3的发射极为第三开关管的低电位端。

7.如权利要求1所述的自激式降压电路，其特征在于，所述第三开关管采用N型MOS管Q6，所述N型MOS管Q6的栅极为第三开关管的控制端，所述N型MOS管Q6的漏极为第三开关管的高电位端，所述N型MOS管Q6的源极为第三开关管的低电位端。

8.一种灯具，其特征在于，所述灯具包括如权利要求1-7任一项所述的自激式降压电路。