[发明专利]MOS管电阻器

权利要求书

1.一种MOS管电阻器，其特征在于，包括第一电阻端子、第二电阻端子、以及位于该第一电阻端子和第二电阻端子之间的单向导通电阻单元，该单向导通电阻单元包括第一PMOS管和第二PMOS管，其中，

该第一PMOS管的第一P掺杂区域引出极和该第一电阻端子相连接，该第一PMOS管的栅极和该第一PMOS管的第二P掺杂区域引出极相连接；

该第二PMOS管的第一P掺杂区域引出极和该第一PMOS管的第二P掺杂区域引出极相连接，该第二PMOS管的栅极和该第二PMOS管的第二P掺杂区域引出极相连接，该第二PMOS管的第二P掺杂区域引出极和该第二电阻端子相连接；

并且，该第一PMOS管的衬底引出极和该第二PMOS管的衬底引出极保持电位浮空。

2.根据权利要求1所述的MOS管电阻器，其特征在于，该第一PMOS管的第一P掺杂区域引出极为该第一PMOS管的源极，该第一PMOS管的第二P掺杂区域引出极为该第一PMOS管的漏极，该第二PMOS管的第一P掺杂区域引出极为该第二PMOS管的源极，该第二PMOS管的第二P掺杂区域引出极为该第二PMOS管的漏极。

3.根据权利要求1所述的MOS管电阻器，其特征在于，该第一PMOS管的第一P掺杂区域引出极为该第一PMOS管的漏极，该第一PMOS管的第二P掺杂区域引出极为该第一PMOS管的源极，该第二PMOS管的第一P掺杂区域引出极为该第二PMOS管的漏极，该第二PMOS管的第二P掺杂区域引出极为该第二PMOS管的源极。

4.一种MOS管电阻器，其特征在于，包括第一电阻端子、第二电阻端子、以及位于该第一电阻端子和第二电阻端子之间且相互并联的第一单向导通电阻单元以及第二单向导通电阻单元，该第一单向导通电阻单元包括第一PMOS管和第二PMOS管，该第二单向导通电阻单元包括第三PMOS管和第四PMOS管，其中，

该第一PMOS管的第一P掺杂区域引出极和该第一电阻端子相连接，该第一PMOS管的栅极和该第一PMOS管的第二P掺杂区域引出极相连接；

该第二PMOS管的第一P掺杂区域引出极和该第一PMOS管的第二P掺杂区域引出极相连接，该第二PMOS管的栅极和该第二PMOS管的第二P掺杂区域引出极相连接，该第二PMOS管的第二P掺杂区域引出极和该第二电阻端子相连接；

该第三PMOS管的第一P掺杂区域引出极和该第二电阻端子相连接，该第三PMOS管的栅极和该第三PMOS管的第二P掺杂区域引出极相连接；

该第四PMOS管的第一P掺杂区域引出极和该第三PMOS管的第二P掺杂区域引出极相连接，该第四PMOS管的栅极和该第四PMOS管的第二P掺杂区域引出极相连接，该第四PMOS管的第二P掺杂区域引出极和该第一电阻端子相连接；

并且，该第一PMOS管的衬底引出极、该第二PMOS管的衬底引出极、该第三PMOS管的衬底引出极和该第四PMOS管的衬底引出极保持电位浮空。

5.根据权利要求4所述的MOS管电阻器，其特征在于，该第一PMOS管的第一P掺杂区域引出极为该第一PMOS管的源极，该第一PMOS管的第二P掺杂区域引出极为该第一PMOS管的漏极，该第二PMOS管的第一P掺杂区域引出极为该第二PMOS管的源极，该第二PMOS管的第二P掺杂区域引出极为该第二PMOS管的漏极，该第三PMOS管的第一P掺杂区域引出极为该第三PMOS管的源极，该第三PMOS管的第二P掺杂区域引出极为该第三PMOS管的漏极，该第四PMOS管的第一P掺杂区域引出极为该第四PMOS管的源极，该第四PMOS管的第二P掺杂区域引出极为该第四PMOS管的漏极。

6.根据权利要求4所述的MOS管电阻器，其特征在于，该第一PMOS管的第一P掺杂区域引出极为该第一PMOS管的漏极，该第一PMOS管的第二P掺杂区域引出极为该第一PMOS管的源极，该第二PMOS管的第一P掺杂区域引出极为该第二PMOS管的漏极，该第二PMOS管的第二P掺杂区域引出极为该第二PMOS管的源极，该第三PMOS管的第一P掺杂区域引出极为该第三PMOS管的漏极，该第三PMOS管的第二P掺杂区域引出极为该第三PMOS管的源极，该第四PMOS管的第一P掺杂区域引出极为该第四PMOS管的漏极，该第四PMOS管的第二P掺杂区域引出极为该第四PMOS管的源极。