[发明专利]形成埋入式沟槽的工艺方法在审
| 申请号： | 201210567513.1 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103903983A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 蒋玲;章宇翔;雷海波;徐云;廖炳隆;马香柏;杨剑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 埋入 沟槽 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.形成埋入式沟槽的工艺方法，其特征在于，在刻蚀出埋入式沟槽的形貌后，进行湿法清洗前，包括以下步骤：
1）在埋入式沟槽的底部和侧壁生长线性氧化层；
2）干法回刻，去除埋入式沟槽底部的线性氧化层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1），采用快速热氧化或者炉管氧化方法形成所述线性氧化层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，快速热氧化过程包括三个阶段：升温，保持温度在950℃～1000℃10分钟，降温冷却。
4.根据权利要求1至3任何一项所述的方法，其特征在于，所述线性氧化层的厚度为
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述线性氧化层的厚度为
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2），刻蚀反应气体为C F4。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
