[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201210564714.6 | 申请日: | 2012-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN103681736A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
| 发明(设计)人: | 尹淳逸;洪性珍;朴印哲;李东澔;李宁熙 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
下基板;
形成在所述下基板上的底层线;以及
红色、绿色、蓝色子像素,所述红色、绿色、蓝色子像素的每一个包括形成在所述下基板上的晶体管部分和有机发光二极管,
其中白色子像素包括第一电极,所述第一电极不与所述底层线重叠并与所述底层线相隔开。
2.根据权利要求1的有机发光显示装置,其中包括在所述白色子像素内的第一电极的长度不同于所述红色、绿色、蓝色子像素的第一电极的长度。
3.根据权利要求1的有机发光显示装置,其中包括在所述白色子像素内的第一电极在第一方向上的长度小于所述红色、绿色、蓝色子像素的第一电极在所述第一方向上的长度。
4.根据权利要求1的有机发光显示装置,其中包括在所述白色子像素内的第一电极与用于限定开口的堤层相隔开。
5.根据权利要求1的有机发光显示装置,其中包括在所述白色子像素内的第一电极与用于限定开口的堤层接触。
6.根据权利要求1的有机发光显示装置,其中包括在所述白色子像素内的第一电极被部分地引入到用于限定开口的堤层的下部。
7.根据权利要求1的有机发光显示装置,其中所述白色子像素具有比所述红色、绿色、蓝色子像素小的发光面积。
8.根据权利要求1的有机发光显示装置,其中所述底层线包括用于传输电力的电力线和用于传输信号的信号线。
9.一种有机发光显示装置,包括:
下基板;
形成在所述下基板上的底层线;以及
红色、绿色、蓝色子像素,所述红色、绿色、蓝色子像素的每一个包括形成在所述下基板上的晶体管部分和有机发光二极管,
其中与白色子像素的第一电极的底部接触的绝缘膜包括非暴露区域和暴露区域。
10.根据权利要求9的有机发光显示装置,其中所述非暴露区域对应于邻近所述白色子像素的电力线的位置,而所述暴露区域对应于邻近所述白色子像素的信号线的位置。
11.根据权利要求10的有机发光显示装置,其中所述暴露区域的尺寸相当于或小于用于限定所述白色子像素的开口的纵向长度。
12.根据权利要求10的有机发光显示装置,其中形成N个暴露区域,N是大于等于1的整数。
13.一种制造有机发光显示装置的方法,所述有机发光显示装置包括:下基板;形成在所述下基板上的底层线;以及红色、绿色、蓝色子像素,所述红色、绿色、蓝色子像素的每一个包括形成在所述下基板上的晶体管部分和有机发光二极管,所述方法包括:
在绝缘膜上形成所述白色子像素的第一电极,其中所述第一电极不与所述底层线重叠并与所述底层线相隔开;
在所述绝缘膜上形成用于限定开口的堤层;
在所述第一电极上形成有机发光层;以及
在所述有机发光层上形成第二电极。
14.根据权利要求13的方法,其中包括在所述白色子像素内的第一电极的长度不同于所述红色、绿色、蓝色子像素的第一电极的长度。
15.根据权利要求13的方法,其中包括在所述白色子像素内的第一电极在第一方向上的长度小于所述红色、绿色、蓝色子像素的第一电极在所述第一方向上的长度。
16.根据权利要求13的方法,其中包括在所述白色子像素内的第一电极与所述堤层接触,或者被部分地引入到所述堤层的下部。
17.一种制造有机发光显示装置的方法,所述有机发光显示装置包括:下基板;形成在所述下基板上的底层线;以及红色、绿色、蓝色子像素,所述红色、绿色、蓝色子像素的每一个包括形成在所述下基板上的晶体管部分和有机发光二极管,所述方法包括:
在绝缘膜上形成白色子像素的第一电极;
在所述绝缘膜上形成用于限定开口的堤层;
在所述第一电极上形成有机发光层;以及
在所述有机发光层上形成第二电极,
其中位于所述第一电极下方的绝缘膜包括非暴露区域和暴露区域。
18.根据权利要求17的方法,其中所述非暴露区域对应于邻近所述白色子像素的电力线的位置,而所述暴露区域对应于邻近所述白色子像素的信号线的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





