[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有半导体衬底上设置的沟槽构造的纵型MOS晶体管，其特征在于，

在沟槽内填埋了栅电极，

在围着所述沟槽的所述半导体衬底表面上设置有源电极，

所述源电极在与所述栅电极的邻接部具有所述半导体衬底的表面向上方隆起的隆起部，在与所述栅电极的邻接部的外侧具有平坦的表面，所述源电极完全占据所述隆起部的内部，并且与在所述隆起部的外侧具有所述平坦的表面的部分连续地连接，

与具有所述平坦的表面的所述源电极连续而邻接地设置有衬底电位扩散层，

所述栅电极具有比所述源电极的隆起部更向上方突出的突出部，

在所述栅电极的突出部的周围，在所述隆起部上设置有侧间隔体，

在所述源电极以及所述栅电极的上表面具有硅化物层，

在所述硅化物层上层叠有层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜上，通过贯穿该层间绝缘膜的接触孔而形成有源衬底共同电位布线以及栅电位布线。

2.一种半导体装置，其特征在于，其具备：

第1导电型半导体衬底；

第1导电型外延生长层，其隔着第2导电型填埋层设置在所述第1导电型半导体衬底上；

第1导电型阱扩散层，其形成在所述第2导电型填埋层上的所述第1导电型外延生长层的一部分上；

沟槽，其配置成格状或者条纹状，并以从所述第1导电型阱扩散层的表面到所述第2导电型填埋层的深度形成；

栅绝缘膜，其形成在所述沟槽的表面上；

栅电极，其隔着所述栅绝缘膜填充所述沟槽，并且比所述第1导电型阱扩散层的表面更高地突出；

侧间隔体，其形成在所述栅电极的侧面；

第2导电型源高浓度扩散层和第1导电型衬底电位扩散层，它们形成在第1导电型阱扩散层的所述沟槽之外的岛状区域的表面上；

第1硅化物层，其形成在所述栅电极的表面上；

第2硅化物层，其形成在所述第2导电型源高浓度扩散层和所述第1导电型衬底电位扩散层的表面上；

层间绝缘膜，其被层叠在所述第1硅化物层和所述第2硅化物层上；以及

源衬底共同电位布线和栅电位布线，它们通过贯穿该层间绝缘膜的接触孔而被形成在所述层间绝缘膜上，

在所述岛状区域的表面上形成有盘型形状的底部并且在周围形成有所述第1导电型半导体衬底的表面隆起的隆起区域，所述侧间隔体配置在所述隆起区域上，

所述第2导电型源高浓度扩散层形成在所述隆起区域以及与所述隆起区域连续的平坦的区域，在所述平坦的区域具有平坦的表面，所述第2导电型源高浓度扩散层完全占据所述隆起区域的内部，并且与所述隆起区域的外侧的所述平坦的区域连续地连接，

所述第1导电型衬底电位扩散层以与所述第2导电型源高浓度扩散层邻接的方式连续地设置，

所述第1硅化物层与所述第2硅化物层通过所述侧间隔体分离。

3.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有沟槽构造的纵型MOS晶体管，该制造方法的特征在于，包括以下工序：

在半导体衬底上的作为填埋栅电极的沟槽的部分的周边，与作为所述沟槽的部分离开预定量而设置基于浅沟槽隔离STI的填埋氧化膜；

在作为所述沟槽的部分设置沟槽；

在所述沟槽内设置栅氧化膜后，层叠多晶硅，填埋所述沟槽，进而层叠得高于所述半导体衬底；

去除所述沟槽内以及所述沟槽上方以外的所述多晶硅，形成比所述半导体衬底突出的栅电极；

去除基于所述STI的填埋氧化膜而形成盘型形状的底部并且在周围形成所述半导体衬底的表面隆起的隆起区域；

在堆积氧化膜之后，进行凹蚀，在所述栅电极的周围形成侧间隔体；

在围着所述栅电极的所述半导体衬底上进行离子注入，在所述隆起区域以及与所述隆起区域连续的平坦的区域形成连续地连接的源高浓度扩散层；

形成与所述源高浓度扩散层连续而邻接的衬底电位扩散层；

附着硅化用金属膜；

实施热处理，在所述栅电极上和所述源高浓度扩散层上形成硅化物层；以及

将层间绝缘膜层叠在所述硅化物层上，然后通过贯穿该层间绝缘膜的接触孔而在所述层间绝缘膜上形成源衬底共同电位布线以及栅电位布线。