[发明专利]具有低电阻集电区的双极晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种具有低电阻集电区的双极晶体管，包括衬底，生长在所述衬底正面的外延层，形成在所述外延层上的发射区引出端和外基区引出端，连接所述发射区引出端的发射极引出电极，以及连接所述外基区引出端的基极引出电极；其特征在于：还包括形成在所述衬底背面的集电极引出电极；所述集电极引出电极嵌入衬底且分别对应所述发射极引出电极和基极引出电极。

2.根据权利要求1所述的具有低电阻集电区的双极晶体管，其特征在于：硅双极晶体管的外延层为N-外延层，锗硅异质结双极晶体管的外延层为N-外延层和锗硅外延层组成的复合外延层。

3.一种具有低电阻集电区的双极晶体管制备方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

3.1制备衬底(1)，在所述衬底(1)的正面生长外延层；

3.2在所得结构上淀积氧化层(4)，对所述氧化层进行光刻、刻蚀，形成发射区窗口；

3.3在所得结构上淀积多晶硅层，N+注入，光刻、刻蚀所述多晶硅层形成发射区引出端(5)；注入P+形成外基区引出端(11)；

3.4淀积氮化硅层或者氧化硅层，刻蚀得到侧墙(6)；做硅化物(12)，淀积孔介质层；

3.5在衬底的背面光刻、刻蚀深槽，淀积低电阻材料层，形成集电极引出电极(7)；所述深槽的深度值为衬底厚度减去50um～100um；

3.6在正面光刻、刻蚀所述孔介质层，形成接触孔；溅射第一金属层，光刻、刻蚀所述第一金属层形成发射极引出电极(8)和基极引出电极(9)。

4.根据权利要求3所述的具有低电阻集电区的双极晶体管制备方法，其特征在于，步骤3.1中制备衬底(1)的材料为N型硅、P型硅或者蓝宝石。

5.根据权利要求3所述的具有低电阻集电区的双极晶体管制备方法，其特征在于，在步骤3.1中，制备硅双极晶体管时在所述衬底(1)正面生长的外延层为N-外延层(2)；制备锗硅异质结双极晶体管时在所述衬底(1)正面生长的外延层为先生长一层N-外延层(2)，再在所述N-外延层(2)上生长锗硅外延层(3)。

6.根据权利要求3所述的具有低电阻集电区的双极晶体管制备方法，其特征在于，步骤3.5中通过化学机械抛光或者刻蚀方法减薄低电阻材料层形成集电极引出电极。

7.根据权利要求3所述的具有低电阻集电区的双极晶体管制备方法，其特征在于，步骤3.5中低电阻材料层为金属层、金属硅化物或重掺杂的多晶硅层。