[发明专利]氧氮化物荧光粉及其制备方法、及包含该荧光粉的LED光源有效
| 申请号: | 201210556731.5 | 申请日: | 2012-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN103045259A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
| 发明(设计)人: | 李会利;王晓君;孙卓 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
| 主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80;H01L33/50 |
| 代理公司: | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人: | 董红曼 |
| 地址: | 200062 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氮化物 荧光粉 及其 制备 方法 包含 led 光源 | ||
1.一种氧氮化物荧光粉,其特征在于,其采用化学通式(M1-xRex)3(Al,Ga)5-yByO12-yNy表示,其中,M为Y、Lu、Gd、Tb中的一种或几种元素,Re为Ce、Pr中的一种或两种元素,0<x≤0.1,0≤y≤1.0。
2.如权利要求1所述的氧氮化物荧光粉,其特征在于,其结构为石榴石晶格结构。
3.如权利要求1所述的氧氮化物荧光粉,其特征在于,其发光光谱发生5nm蓝移。
4.权利要求1所述的氧氮化物荧光粉,其特征在于,其发光强度随着温度的升高而增加,没有出现温度淬灭。
5.一种如权利要求1所述的氧氮化物荧光粉的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)称取原料;所述原料包括:纯的M的氧化物和纯的Re的氧化物、纳米α-Al2O3、Ga2O3、纳米BN、和烧结助剂NH4F;
(2)氧化物混合前驱体的制备:将所述原料按化学计量配比称重后,放入聚四氟乙烯球磨罐中,加入无水乙醇和氧化锆球,研磨后干燥、粉碎、过200目筛网,即得到所需的氧化物前躯体;
(3)高温固相烧结:将装有上述氧化物前驱体的Al2O3坩埚置于以石墨为发热体的高温烧结炉中,在95%N2/5%H2气氛下,1400-1650℃,保温4-10小时热处理,升温速率为300-600℃/h,合成的荧光粉体随炉体水冷;
(4)酸洗:将上述荧光粉体放入盛有去离子水的烧杯中,加入浓度为36%-38%的稀盐酸,其中去离子水与稀盐酸的体积比为10∶1,常温下连续搅拌1小时,静置分层,滤掉上层澄清液后,用去离子水清洗至溶液PH=6.5-7.0,过滤、干燥,得到所述氧氮化物荧光粉。
6.如权利要求5所述的氧氮化物荧光粉的制备方法,其特征在于,所述纳米BN为含量>99%、平均粒径20nm的非晶态BN。
7.一种白光LED光源,其特征在于,包括LED发光器,以及设置在该LED发光器上的含有如权利要求1所述的氧氮化物荧光粉的发光层。
8.如权利要求7所述的白光LED光源,其特征在于,所述LED发光器中的发光芯片为发射波长在440-470nm的InGaN基的LED芯片。
9.如权利要求1所述的氧氮化物荧光粉的应用,其特征在于,将所述氧氮化物荧光粉用于设置在白光LED发光器的发光层中。
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