[发明专利]魔芋高产栽培技术方法

权利要求书

1.一种魔芋高产栽培技术方法，其特征在于：它有以下四方面高产措施，一、填肥闷地，二、种子处理，三、新栽培方式，四、合理施肥与除草；具体在填肥闷地方面：耕地起垄，在垄上打穴，穴深30～50cm，穴大直径为95cm，在穴内填肥，用薄膜将垄覆盖后膜边用土压严闷地30天以后揭开薄膜晾地七天即可种植魔芋；种子的处理方法：将魔芋种剔除坏的后按大小分类，分别放在通风处晾种15～30天，最少7天，临栽种前用多菌灵500倍水稀释液浸泡1分钟拎出晾干即播种；栽培方法：根据地质情况每亩打穴2500～3000穴，每穴内播种3～5个，栽植深入以种植者手食指为标尺，即6～9cm；施肥和除草方面：除上述的穴内植肥外，还在出苗前在魔芋上施用一次微生物菌肥；在播种后的未出苗期间遍喷一次旱地用除草剂，在出苗后不能用；另外在魔芋入种后即在垄上打杀菌剂，每15天一次，不管有病无病到时即打。

2.根据权利要求1所述的魔芋高产栽培技术方法，其特征在于：所述的穴内填肥的肥料是采用农作物秸杆或其他有机植物秸杆粉碎成一寸以下的小段或粗渣的秸杆粉，在其中混兑农家肥和石灰氮，农家肥指猪、牛、羊粪便均可，其混兑比例是1吨重的秸杆粉兑300～500Kg农家肥再混兑加入秸杆粉与农家肥总重量的5%的石灰氮，拌匀混合用于填肥闷地。