[发明专利]顶发光型有机电致发光器件、其制备方法及显示装置有效

专利信息
申请号: 201210507397.4 申请日: 2012-11-30
公开(公告)号: CN103000814A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 王玉林;于军胜 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 发光 有机 电致发光 器件 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种顶发光型有机电致发光器件,包括基板,在所述基板上由下到上依次具有作为阳极的第一电极、有机材料层、作为阴极的第二电极以及密封层,其特征在于,所述第二电极具体包括:

半透明电极层,以及与所述半透明电极层电性相连的至少一层非透明电极层;

所述非透明电极层的图案与所述有机材料层确定的像素单元之间的间隙处相对。

2.如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述非透明电极层由多个条状电极组成,各所述条状电极位于相邻列的像素单元之间的间隙处,和/或位于相邻行的像素单元之间的间隙处。

3.如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述非透明电极层位于所述半透明电极层与所述有机材料层之间,和/或位于所述半透明电极层与所述密封层之间。

4.如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述非透明电极层的厚度为1-2微米。

5.如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述半透明电极层的材料为Ag、Mg、Al、AgMg合金、AgAl合金、ITO或ZnSnO;

所述非透明电极层的材料为Ag、Mg、Al、Mo、Cr、Au、Cu及其合金。

6.如权利要求1-5任一项所述的器件,其特征在于,所述第二电极还包括:光学增透层,所述光学增透层位于所述第二电极的膜层结构的顶层。

7.如权利要求6所述的器件,其特征在于,所述光学增透层的厚度在10-100nm之间。

8.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1-7任一项所述的顶发光型有机电致发光器件。

9.一种如权利要求1所述的顶发光型有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括:

在基板上形成作为阳极的第一电极以及与所述第一电极电性相连的补偿电路;

在所述第一电极上的各像素单元之间的间隙处形成绝缘层的图案;

在所述第一电极上的各像素单元内形成有机材料层;

在所述有机材料层上形成半透明电极层,以及与所述半透明电极层电性相连的至少一层非透明电极层;所述半透明电极层和至少一层非透明电极层组成作为阴极的第二电极;

在所述第二电极上形成密封层。

10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,在所述第二电极上形成密封层之前,还包括:

在所述半透明电极层和非透明电极层上形成光学增透层。

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