[发明专利]一种中大尺寸芯片提高亮度和良率的制造方法有效
| 申请号： | 201210500762.9 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103000507A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 樊邦扬 | 申请（专利权）人： | 鹤山丽得电子实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529728 广东省江*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 芯片 提高 亮度 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高亮度和良率的中大尺寸二极管芯片切割制作方法，其特征在于：在蓝宝石背面镀有DBR光学反射膜，芯片背面切割的深度大于芯片厚度的1/2。
2.根据权利要求1所述的提高亮度和良率的中大尺寸二极管芯片切割制作方法，其特征在于：芯片的切割方式为隐形切割。
3.根据权利要求1所述的提高亮度和良率的中大尺寸二极管芯片切割制作方法，其特征在于：芯片切割深度等于芯片厚度的1/2。
4.根据权利要求1所述的提高亮度和良率的中大尺寸二极管芯片切割制作方法，其特征在于：芯片四个侧壁的切割灼伤的吸光区颜色比较浅。
5.根据权利要求1所述的提高亮度和良率的中大尺寸二极管芯片切割制作方法，其特征在于：所述反射层材料是氧化物。
6.根据权利要求1-5任一项所述的提高亮度和良率的中大尺寸二极管芯片切割制作方法，其特征在于：中大尺寸二极管芯片的厚度在120微米至250微米之间，中大尺寸二极管芯片的尺寸为10mil×23mil以上芯片。
7.根据权利要求1-5任一项所述的提高亮度和良率的中大尺寸二极管芯片切割制作方法，其特征在于：所述中大尺寸二极管芯片的切割深度为70微米～200微米。
8.根据权利要求1-5任一项所述的提高亮度和良率的中大尺寸二极管芯片切割制作方法，其特征在于：所述中大尺寸二极管芯片的切割宽度为15微米～30微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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