[发明专利]一种低温晶圆键合方法有效
| 申请号： | 201210491190.2 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103832970A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;李运;王盛凯;张雄;郭浩;孙兵;常虎东;赵威 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 晶圆键合 方法 | ||
1.一种低温晶圆键合方法，其特征在于，包括：
对两个晶圆进行清洗；
在清洗后的两个晶圆表面沉积一层氧化物；
对两个晶圆中的至少一个进行表面活化处理；
将表面活化处理后的两个晶圆在非真空环境下表面相对彼此接触并施加外力使其键合；以及
对键合后的晶圆进行低温退火处理。
2.根据权利要求1所述的低温晶圆键合方法，其特征在于，所述对两个晶圆进行清洗的步骤中，采用化学清洗方法。
3.根据权利要求1所述的低温晶圆键合方法，其特征在于，所述对两个晶圆进行清洗之后还包括：
对两个晶圆进行擦洗和/或抛光。
4.根据权利要求1所述的低温晶圆键合方法，其特征在于，所述在清洗后的两个晶圆表面沉积一层氧化物的步骤中，所述沉积采用MOCVD、PECVD、ALD、溅射、电子束沉积法或激光脉冲沉积法，所述氧化物为氧化硅、氧化铝、氧化铪或氧化镧中的一种。
5.根据权利要求1所述的低温晶圆键合方法，其特征在于，所述对两个晶圆中的至少一个进行表面活化处理的步骤中，所述表面活化处理是采用O2、N2、SF6等离子体活化处理的中一种对两个晶圆中的至少一个进行表面活化处理，或者是采用O2、N2、SF6等离子体活化处理的中多种依次对两个晶圆中的至少一个进行表面活化处理。
6.根据权利要求1所述的低温晶圆键合方法，其特征在于，所述对两个晶圆中的至少一个进行表面活化处理的步骤中，所述表面活化处理是在16℃-26℃的温度范围内进行。
7.根据权利要求1所述的低温晶圆键合方法，其特征在于，所述将表面活化处理后的两个晶圆在非真空环境下表面相对彼此接触并施加外力使其键合的步骤中，非真空环境是指空气环境或者千级超净间的环境。
8.根据权利要求1所述的低温晶圆键合方法，其特征在于，所述将表面活化处理后的两个晶圆在非真空环境下表面相对彼此接触并施加外力使其键合的步骤中，采用的键合压力为100Kg-1000kg。
9.根据权利要求8所述的低温晶圆键合方法，其特征在于，所述键合压力为200kg-500kg。
10.根据权利要求1所述的低温晶圆键合方法，其特征在于，所述对键合后的晶圆进行低温退火处理的步骤中，采用的退火温度为100℃-400℃。
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