[发明专利]精确控制晶圆减薄厚度的方法

权利要求书

1.一种精确控制晶圆减薄厚度的方法，其特征在于，包括：在芯片制造过程中加入一步硅片沟槽刻蚀，在该沟槽内填入填充物，晶圆的正面芯片制作流程做完后，通过硅片背面减薄至沟槽的底部，实现晶圆减薄的精度控制。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述精确控制晶圆减薄厚度的方法，步骤包括：

1）在硅片上涂覆一层光刻胶，曝光，并在切割道处形成沟槽的图形；

2）采用等离子硅刻蚀方法，将切割道上的沟槽图形刻至晶圆指定要减薄的厚度；

3）去除硅片表面的光刻胶；

4）将沟槽内填满填充物，形成带有沟槽填充物的硅片；

5）将晶圆的正面芯片制作流程做完；

6）晶圆正面贴保护层；

7）将晶圆减薄至沟槽底部；

8）将晶圆正面保护层揭掉，至此完成晶圆减薄。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述精确控制晶圆减薄厚度的方法中，对于形成带有沟槽填充物的硅片，还能通过以下方式进行制作：

在硅片投入时直接做成带有沟槽填充物的硅片，或在正面芯片形成流程做完后，进行带有沟槽填充物的硅片制作，或在芯片的接触孔或者任意一层的通孔做成的同时，做成带有沟槽填充物的硅片。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1）中，光刻胶的厚度为1～4微米；曝光的区域为切割道位置；沟槽占整个晶圆的面积0.1%～2%，沟槽的形状包括：圆形、方形、多边形或环形。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2）中，沟槽的深度面内均匀性小于2微米，晶圆间沟槽均匀性小于2微米；沟槽深度为10～50微米。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3）中，去除硅片表面的光刻胶的方法为采用光刻胶灰化机台，将硅片表面的光刻胶去除干净。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤4）中，填充物包括：钨和非单晶硅材质；其中，非单晶硅材质包括：氧化硅、氮化硅和多晶硅；填满填充物的方法为采用低压化学气相沉积的方法填充钨或采用常压化学气相沉积的方法沉积非单晶硅材质。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤6）中，保护层包括：蓝膜或玻璃；其中，蓝膜的厚度为100～200微米，蓝膜中的胶层厚度为10～100微米；玻璃的厚度为150～750微米，该玻璃的材质包括：氧化硅或硅。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤7）中，当步骤6）的保护层为蓝膜时，晶圆减薄的方式为采用太古减薄的方式，并通过监测减薄时的电流或者压力的上升或者下降，使得减薄至沟槽底部时，减薄及时停止；当步骤6）的保护层为玻璃时，使用常规的减薄方式进行减薄，并通过监测减薄时的电流或者压力，使得减薄至沟槽底部时，减薄及时停止。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤8）中，晶圆减薄厚度变化控制在小于2微米的范围内。