[发明专利]一种NANDFlash存储芯片的校验方法及装置

说明书

技术领域

本发明属于通信领域，尤其涉及一种NAND Flash存储芯片的校验方法及装置。

背景技术

现今，NAND Flash(存储型快闪记忆本)存储芯片作为嵌入式领域的一种常见存储介质，相比于NOR Flash存储芯片，NAND Flash存储芯片具有更快的读写速度和能够存储更多的数据的优点。因此，NAND Flash存储芯片一直以来广受嵌入式设备厂商的青睐，但由于NAND Flash存储芯片不能像NOR Flash(编码型快闪记忆本)存储芯片那样能保持存储数据的高可靠性，从而如何提高NAND Flash存储芯片内存储数据的可靠性，变成了所有使用者的难题。

NAND Flash芯片的基本构成，通常由多个块组成，每个块由多个页组成，每个页由数据区及Spare area区组成。块是作为NAND Flash擦除的最小单位，页一般作为读写的最小单位。对于每个页上的扩展区(Spare area区)及数据区(Data area区)而言，数据区主要负责存放用户数据信息，而Spare area区常用来存放纠错校验码。

常见NAND Flash存储芯片中存在有三种典型的情况会导致数据翻转从而使得数据错误：

1、漂移翻转

漂移翻转指的是，NAND Flash芯片中cell的电压值慢慢发生改变，变的和原始值不一样了。

2、编程效应引起的翻转

对于某个页面的编程操作(即擦或写操作)，引起非相关的其他页面的某个位跳变了。

3、读翻转

此效应是，对一个页进行数据读取操作，却使得对应的某个位的数据，产生了永久性的变化，即NAND Flash上该位的值发生改变。

NAND Flash的工艺特点使其存储的数据在写入和读出的时会不一致，因此NAND Flash采用专门的ECC(Error Checking and Correction)校验算法保证读出数据的正确性。ECC校验算法能够针对NAND Flash的一个页进行一位纠错和两位查错，然而通过高压力的测试发现，NAND Flash每页出现两位错误的情况也时有发生，一旦发生两位错误时，会导致建立在NAND Flash上的文件系统崩溃，为此急需研究一种校验算法以减少文件系统崩溃的风险。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种NAND Flash存储芯片的校验方法，解决现有技术中只能进行一位纠错及两位查错的缺陷。

一种NAND Flash存储芯片的校验方法，所述方法包括：

将NAND Flash存储芯片每页中数据区的数据，对同一行上所有数据进行异或运算得到异或值，并对同一列上所有数据进行异或运算得到异或值，将行列的异或值写入所述NAND Flash存储芯片的扩展区；

将所述数据区的数据进行Hash运算，将运算的结果存储双份到所述扩展区；

取出所述数据区的数据，并计算所述数据区的数据的Hash值；

取出存放在所述扩展区的行列异或值和双份Hash值，并对双份Hash值做运算得到新的Hash值；

对比所述数据区的数据的Hash值和所述新的Hash是否相同，若否，则对所述数据区的数据做行列异或运算，并将运算后的行列异或值和所述扩展区的行列异或值进行对比，获取出现错误的行和出现错误的列的数量和位置，并根据出现错误的行和出现错误的列的数量和位置进行纠错。

一种NAND Flash存储芯片的校验装置，所述装置包括：

写入单元，用于将NAND Flash存储芯片每页中数据区的数据，对同一行上所有数据进行异或运算得到异或值，并对同一列上所有数据进行异或运算得到异或值，将行列的异或值写入所述NAND Flash存储芯片的扩展区；

第一运算单元，用于将所述数据区的数据进行Hash运算，将运算的结果存储双份到所述扩展区；

计算单元，用于取出所述数据区的数据，并计算所述数据区的数据的Hash值；

第二运算单元，用于取出存放在所述扩展区的行列异或值和双份Hash值，并对双份Hash值做运算得到新的Hash值；

纠错单元，用于对比所述数据区的数据的Hash值和所述新的Hash是否相同，若否，则对所述数据区的数据做行列异或运算，并将运算后的行列异或值和所述扩展区的行列异或值进行对比，获取出现错误的行和出现错误的列的数量和位置，并根据出现错误的行和出现错误的列的数量和位置进行纠错。