[发明专利]四脒基金属(IV)化合物及其在气相沉积中的用途

权利要求书

1.具有如下结构式的化合物：

其中，M选自+4氧化态的锡、铌、钨、钼、铀、铼、铂、锇、铱、钌、钯、钛、铑、钒、铈和铅，且R¹到R¹²各自独立地选自氢、烃基、取代的烃基、烷基甲硅烷基和烷基氨基。

2.权利要求1的化合物，其中R¹到R¹²选自烷基、环烷基、烯基、环烯基、炔基和环炔基以及它们的氟化物衍生物。

3.权利要求1的化合物，其中R¹到R¹²选自烷基甲硅烷基和烷基氨基。

4.权利要求1的化合物，其中M为+4氧化态的钌。

5.权利要求1的化合物，其中M为+4氧化态的钼。

6.权利要求1的化合物，其中M为+4氧化态的钨。

7.权利要求1的化合物，其中M为+4氧化态的锡。

8.权利要求1的化合物，其中M为+4氧化态的钛。

9.权利要求1的化合物，其中R¹到R¹²中至少一个为具有5个或更少碳的低级烷基。

10.权利要求1的化合物，其中R¹到R¹²选自具有5个或更少碳的低级烷基和氢。

11.权利要求1的化合物，其中R¹、R³、R⁴、R⁶、R⁷、R⁹、R¹⁰和R¹²是在α-位非支化的烷基。

12.一种形成包含金属的薄膜的方法，包括：

使加热的表面暴露于一种或多种权利要求1的化合物的蒸气。

13.权利要求12的方法，其中R¹到R¹²选自烷基、环烷基、烯基、环烯基、炔基和环炔基以及它们的氟化物衍生物。

14.权利要求12的方法，其中R¹到R¹²选自烷基甲硅烷基和烷基氨基。

15.权利要求12的方法，其中M为+4氧化态的钌。

16.权利要求12的方法，其中M为+4氧化态的钼。

17.权利要求12的方法，其中M为+4氧化态的钨。

18.权利要求12的方法，其中M为+4氧化态的锡。

19.权利要求12的方法，其中M为+4氧化态的钛。

20.权利要求12的方法，其中R¹到R¹²中至少一个为具有5个或更少碳的低级烷基。

21.权利要求12的方法，其中R¹到R¹²选自具有5个或更少碳的低级烷基和氢。

22.权利要求12的方法，其中还使衬底暴露于氧源，且该薄膜包含金属氧化物。

23.权利要求22的方法，其中氧源为水蒸气。

24.权利要求22的方法，其中氧源为分子氧。

25.权利要求22的方法，其中氧源为臭氧。

26.权利要求12的方法，其中还使衬底暴露于氮源，且该薄膜包含金属氮化物。

27.权利要求26的方法，其中氮源为氨。

28.权利要求12的方法，其中在CVD工艺中沉积该膜。

29.权利要求12的方法，其中在ALD工艺中沉积该膜。

30.权利要求12的方法，其中通过使固体形式的化合物气化获得该蒸气。

31.权利要求12的方法，其中通过使液体形式的化合物气化获得该蒸气。