[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，是具有元件区域以及包围上述元件区域的接合终端区域的纵型的半导体装置，该半导体装置具备：

第1导电型的第1半导体区域，设置于元件区域以及上述接合终端区域；

第1导电型的第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域之上；

第2导电型的多个第3半导体区域，被插入上述第2半导体区域，且并排设置在相对于上述第1半导体区域和上述第2半导体区域的叠层方向大致正交的第1方向；

第2导电型的第4半导体区域，设置在上述元件区域的上述多个第3半导体区域的至少1个之上；

第1导电型的第5半导体区域，设置在上述第4半导体区域之上；

第1电极，隔着第1绝缘膜与上述第2半导体区域、上述第4半导体区域、以及上述第5半导体区域相接；

第2电极，与上述第4半导体区域以及上述第5半导体区域电连接；

第3电极，与上述第1半导体区域电连接；

多个第4电极，在上述接合终端区域的上述多个第3半导体区域之上以及在上述接合终端区域的上述第2半导体区域之上，隔着第2绝缘膜并排设置于上述第1方向；以及

第5电极，与上述第3电极电连接，隔着第3绝缘膜设置在上述多个第4电极的至少一个之上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述多个第4电极分别设置在上述多个第3半导体区域的每一个、和由上述多个第3半导体区域分别所夹着的上述第2半导体区域的接合界面之上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述多个第4电极的至少1个架设在上述多个第3半导体区域的至少2个之上。

4.根据权利要求1~3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于：

在上述第2半导体区域并排设置有上述多个第3半导体区域的结构从上述元件区域到达上述接合终端区域的外端。

5.根据权利要求1~3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，进一步具备：

多个第6电极，设置在上述第2电极和上述第5电极之间，并且隔着上述第3绝缘膜设置在上述多个第4电极之上。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，进一步具备：

配线层，设置在上述多个第6电极的每一个和上述第3绝缘膜之间，

上述第1方向的上述配线层的宽度比上述第1方向的上述多个第6电极各自的宽度还宽。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

上述多个第6电极分别与上述第2电极或者上述第5电极电连接。