[发明专利]测试对准使用芯片的制作方法

权利要求书

1.一种测试对准使用芯片的制作方法，其特征在于，包括：

步骤1、在工艺初期图形定义时，硅片内的所有区域部进行曝光；

步骤2、当该硅片因为芯片尺寸过小时，需要进行对准芯片制作时，针对此类硅片，在硅片内部完整shot的位置上，选择一个小的区域M进行二次曝光，使区域M内的全部或部分芯片失效，形成一个失效的芯片阵列，作为测试对准使用；

步骤3、根据区域M中的失效芯片周边芯片中是否含有有效芯片，来判定测试结果是否与硅片上实际芯片结果发生左、右、上、下的偏移。

2.如权利要求1所述的测试对准使用芯片的制作方法，其特征在于，步骤2中所述使区域M内的全部芯片失效，具体为直接通过强制偏移的方式将区域M内光刻图形做偏移，使得该曝光范围内图形重叠，影响其电学性能参数，从而最终导致区域M内芯片失效。

3.如权利要求1所述的测试对准使用芯片的制作方法，其特征在于，步骤2中所述使区域M内的部分芯片失效，具体为通过在掩膜版上以单芯片尺寸为标准，制作特定的属性为透光的曝光范围，在曝光过程中将此透光图形在区域M内的芯片上曝光，使得整个透光的曝光范围内没有图形，从而使透光区域芯片失效。

4.如权利要求1所述的测试对准使用芯片的制作方法，其特征在于，所述步骤3的判断具体为：当所述区域M中的失效芯片周边芯片在其中一个方向上有效芯片数目大于0时，则在所述方向上不存在偏移，否者发生偏移。