[发明专利]真空处理装置无效
| 申请号: | 201210457238.8 | 申请日: | 2009-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN103334091A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
| 发明(设计)人: | 辻德彦;诸井政幸;泽地淳;岩田辉夫 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/67;H01L21/02;H01L21/314;H01L21/316 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;舒艳君 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 真空 处理 装置 | ||
1.一种真空处理装置,该真空处理装置在真空环境气氛下利用处理气体对基板进行处理,
该真空处理装置的特征在于,
该真空处理装置具有:
多个下部件,该多个下部件各自包含基板载置区域;
多个上部件,该多个上部件分别与上述多个下部件对置地设置,在与上述基板载置区域之间形成处理空间;
处理气体供给机构,该处理气体供给机构相对于由上述上部件以及下部件的组形成的多个处理空间通用;
多个分支路,该多个分支路从该处理气体供给机构经由通用的气体供给路分支,用于向上述多个处理空间分别供给处理气体;
扩散室,该扩散室设置于上述通用的气体供给路的下游端,具有比该气体供给路的截面积大的截面积,在该扩散室的下游侧连接有上述多个分支路;以及
真空排气机构,该真空排气机构用于对上述处理空间进行真空排气。
2.一种真空处理装置,该真空处理装置在真空容器内使用处理气体对基板进行处理,
该真空处理装置的特征在于,
该真空处理装置具有:
多个下部件,该多个下部件设置在上述真空容器内,各自包含基板载置区域;
多个上部件,该多个上部件分别与上述多个下部件对置地设置,在与上述基板载置区域之间形成处理空间;
排气用开口部,该排气用开口部沿上述处理空间的周向形成,用于连通该处理空间内和作为该处理空间的外部的上述真空容器内的环境气氛;
处理气体供给机构,该处理气体供给机构相对于由上述上部件以及下部件的组形成的多个处理空间通用;
多个分支路,该多个分支路从该处理气体供给机构经由通用的气体供给路分支,用于向上述多个处理空间分别供给处理气体;
扩散室,该扩散室设置于上述通用的气体供给路的下游端,具有比该气体供给路的截面积大的截面积,在该扩散室的下游侧连接有上述多个分支路;以及
真空排气机构,该真空排气机构用于经由上述排气用开口部以及真空容器内的环境气氛对上述处理空间进行真空排气。
3.根据权利要求2所述的真空处理装置,其特征在于,
上述排气用开口部由在上述上部件的下缘和下部件之间沿周向形成的间隙形成。
4.根据权利要求2或3所述的真空处理装置,其特征在于,
上述上部件以及下部件的多个组沿真空容器的周向配置。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的真空处理装置,其特征在于,
上述扩散室设置在真空容器的正上方。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的真空处理装置,其特征在于,
上述通用的气体供给路以立起的方式与上述扩散室的上表面中央连接,
上述处理气体供给机构具备用于将液体原料气化并将处理气体向立起的通用的气体供给路排出的喷嘴。
7.根据权利要求6所述的真空处理装置,其特征在于,
连接用于贮存上述液体原料的贮存部和上述喷嘴的液体原料的供给路的长度为2m以下。
8.根据权利要求6或7所述的真空处理装置,其特征在于,
在上述立起的通用的气体供给路连接有供给使上述液体原料气化而得到的处理气体以外的处理气体的供给路。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的真空处理装置,其特征在于,
上述处理气体供给机构具有:用于供给第一反应气体的机构;用于供给与上述第一反应气体反应而在基板上生成反应生成物的第二反应气体的机构;以及供给吹扫气体的机构,
所述真空处理装置具有控制部,该控制部用于对处理气体供给机构进行控制,以便多次执行将第一反应气体和第二反应气体交替地向处理空间供给的循环,且在供给上述反应气体的时刻之间供给吹扫气体。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的真空处理装置,其特征在于,
上述上部件的内周面从上部向下方形成为逐渐扩展的形状,
在上述上部件的中央部形成有供给处理气体的气体供给口。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210457238.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:大腔体多顶砧式超高压装置
- 下一篇:胶泥混料控制柜集成系统
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





