[发明专利]基板处理系统和基板搬送方法有效
| 申请号: | 201210435430.7 | 申请日: | 2012-11-05 |
| 公开(公告)号: | CN103094164B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
| 发明(设计)人: | 中原田雅弘;酒田洋司;宫田亮;林伸一;榎木田卓;中岛常长 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 系统 基板搬送 方法 | ||
1.一种基板处理系统,其包括设置有对基板进行处理的多个处理单元的处理站;和在所述处理站和设置于外部的曝光装置之间进行基板的交接的交接站,该基板处理系统的特征在于:
所述交接站具有清洗检查单元,
所述清洗检查单元具有:
箱体;
在将基板搬入到所述曝光装置之前至少清洗基板的背面的基板清洗部;和
在清洗后的所述基板搬入到所述曝光装置之前,至少对于清洗后的所述基板的背面检查该基板能否进行曝光的基板检查部,
所述基板清洗部和所述基板检查部配置于所述箱体的内部,
在所述箱体的内部,设置有在所述基板清洗部和所述基板检查部之间搬送基板的基板搬送机构,
基板搬送控制部,其以如下方式控制所述基板搬送机构:当在所述基板检查部的检查结果被判断为,基板的状态成为通过在所述基板清洗部的再清洗能够曝光的状态时,再次将该基板搬送到所述基板清洗部。
2.如权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于:
在所述交接站中,设置有去除附着于由所述基板清洗部清洗后的基板的水分的脱水单元。
3.如权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于:
所述基板搬送控制部以将再次搬送到所述基板清洗部被清洗后的基板再次搬送到基板检查部的方式控制所述基板搬送机构。
4.如权利要求1或2所述的基板处理系统,其特征在于:
在所述交接站中,设置有将由所述基板检查部检查后且搬入到所述曝光装置之前的基板调整到规定的温度的温度调整机构。
5.如权利要求4所述的基板处理系统,其特征在于:
所述温度调整机构设置于所述箱体的内部。
6.如权利要求1或2所述的基板处理系统,其特征在于:
在所述清洗检查单元中,设置有使由所述基板检查部检查后的基板暂时待机的缓冲待机部。
7.如权利要求6所述的基板处理系统,其特征在于:
所述缓冲待机部设置于所述箱体的内部。
8.如权利要求7所述的基板处理系统,其特征在于:
所述缓冲待机部使所述检查后的基板待机直到判断出该检查后的基板的检查结果。
9.如权利要求1或2所述的基板处理系统,其特征在于:
在所述箱体的内部设置有清洗所述基板搬送机构的基板搬送机构清洗机构。
10.如权利要求9所述的基板处理系统,其特征在于:
所述基板清洗部兼用作所述基板搬送机构清洗机构。
11.如权利要求1~3中任一项所述的基板处理系统,其特征在于:
在所述清洗检查单元设置有暂时收纳由所述基板检查部检查后的基板的缓冲收纳部。
12.如权利要求11所述的基板处理系统,其特征在于,所述基板搬送机构包括:
将已搬入到所述交接站中的基板搬送到所述基板清洗部的第一搬送臂;和
将由所述基板清洗部清洗之后的基板搬送到所述基板检查部,进一步将由所述基板检查部检查之后的基板搬送到所述缓冲收纳部的第二搬送臂。
13.如权利要求11所述的基板处理系统,其特征在于,所述基板搬送机构具有:
将已搬入到所述交接站中的基板搬送到所述基板清洗部的第一搬送臂;
将由所述基板清洗部清洗之后的基板搬送到所述基板检查部的第二搬送臂;和
将由所述基板检查部检查之后的基板搬送到所述缓冲收纳部的第三搬送臂。
14.如权利要求11所述的基板处理系统,其特征在于:
所述缓冲收纳部收纳所述检查后的基板直到判断出该检查后的基板的检查结果。
15.如权利要求2所述的基板处理系统,其特征在于:
所述基板搬送机构以沿上下方向自由移动的方式设置,
所述基板清洗部设置于所述交接站的正面侧和背面侧中的任意一侧,
所述基板检查部夹着所述基板搬送机构设置于所述基板清洗部的相反一侧,
所述脱水单元相对于所述基板清洗部或所述基板检查部多层地设置于所述基板清洗部侧和所述基板检查部侧中的任意一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





