[发明专利]阵列基板及其制作和维修方法、显示装置在审
| 申请号: | 201210430745.2 | 申请日: | 2012-11-01 |
| 公开(公告)号: | CN102931189A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
| 发明(设计)人: | 张明;蔡振飞;贾丕健;郝昭慧;尹雄宣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1345;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗建民;陈源 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制作 维修 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示器制造技术领域,具体涉及一种阵列基板、包括所述阵列基板的显示装置、所述阵列基板的维修方法以及制作方法。
背景技术
随着显示器制造技术的发展,液晶显示器技术发展迅速,已经取代了传统的显像管显示器而成为未来平板显示器的主流。在液晶显示器技术领域中,TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)以其大尺寸、高度集成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑、手机等领域。
显示面板是TFT-LCD的主要部件,一般由制作完成的阵列基板和彩膜基板对盒组装并灌注液晶而成。在阵列基板的制作过程中,如果其中的TFT元件(每个TFT元件均包括栅极、半导体层、源极与漏极)发生损坏,例如出现源漏残留(SD remain)等问题时,在后续的成盒检测工艺(Cell Test,用来检测完成液晶成盒工艺的显示面板是否合格)中给予不同的检测信号,该损坏的TFT元件所在像素区域会透射出比其他正常TFT元件所在像素区域明亮得多的光,即产生亮点像素瑕疵(Bright Pixel Defect)现象,严重影响显示面板品质。为解决上述问题,需要消除亮点像素瑕疵,即需要对该损坏的TFT元件所在像素区域进行灭点化处理。
以ADS(ADvanced Super Dimension Switch,高级超维场转换技术,简称ADS)模式TFT-LCD为例,现有的像素区域灭点化处理方法为源/漏极(source/drain)切断法,即切断源极、切断漏极、分别切断源极与漏极、或者清除位于过孔中和/或过孔周边的像素电极以切断像素电极与漏极之间的连接(像素电极可以经过过孔与漏极相连,且每个TFT元件均对应一个像素电极,也即每个像素区域均对应一个像素电极),从而切断数据线与像素电极之间的连接,使所述像素电极处于“悬空状态”,并使得该像素电极所对应的具有亮点像素瑕疵的像素区域成为暗像素。但实际应用过程中发现,由于残存静电等因素,部分经源/漏极切断法处理后的像素区域仍具有亮点像素瑕疵。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中所存在的上述缺陷,提供一种阵列基板、包括所述阵列基板的显示装置、所述阵列基板的维修方法以及制作方法,用于实现消除亮点像素瑕疵的问题。
解决本发明技术问题所采用的技术方案:
所述阵列基板包括引线和像素电极,所述引线和像素电极之间具有绝缘层,其中,所述像素电极与引线分隔设置且所述像素电极与引线之间能够导通。
优选地,所述绝缘层上设置有通孔,所述像素电极设置在绝缘层上未设置有通孔处,以使得所述像素电极与引线能够通过在所述通孔中设置导电材料导通。
优选地,所述绝缘层上设置有通孔,所述阵列基板还包括设置在所述通孔中的连通层,所述像素电极设置在绝缘层上未设置有通孔处,且所述连通层与像素电极分隔设置,以使得所述像素电极与引线能够通过在所述连通层与像素电极的分隔处设置导电材料导通。
优选地,所述通孔侧壁与通孔底面的夹角为钝角。
更优选地,所述通孔侧壁与通孔底面的夹角为110°~120°。
优选地,所述阵列基板应用的显示面板为常黑模式,所述引线为公共电极线或公共电极;
或者,所述阵列基板应用的显示面板为常白模式,所述引线为栅线。
优选地,所述绝缘层包括栅极绝缘层和钝化层,所述钝化层设置在像素电极与栅极绝缘层之间;
或者,所述绝缘层为栅极绝缘层。
本发明同时提供一种包括上述阵列基板的显示装置。
本发明同时还提供一种阵列基板的维修方法,包括如下步骤:
A.在上述阵列基板中具有亮点像素瑕疵的像素区域设置导电材料,以使得所述阵列基板中具有亮点像素瑕疵的像素区域所对应的像素电极与引线之间能够经所述导电材料导通。
优选地,所述导电材料为钨粉或钛粉。
优选地,所述步骤A之前还包括如下步骤:
A-1.切断所述具有亮点像素瑕疵的像素区域中薄膜晶体管的源极;
或者,A-2.切断所述具有亮点像素瑕疵的像素区域中薄膜晶体管的漏极;
或者,A-3.分别切断所述具有亮点像素瑕疵的像素区域中薄膜晶体管的源极和漏极;
或者,A-4.切断所述具有亮点像素瑕疵的像素区域中薄膜晶体管的漏极与该像素区域对应的像素电极之间的连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





