[发明专利]阵列基板及其制作和维修方法、显示装置在审
| 申请号: | 201210430745.2 | 申请日: | 2012-11-01 |
| 公开(公告)号: | CN102931189A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
| 发明(设计)人: | 张明;蔡振飞;贾丕健;郝昭慧;尹雄宣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1345;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗建民;陈源 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制作 维修 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括引线和像素电极,所述引线和像素电极之间具有绝缘层,其特征在于,所述像素电极与引线分隔设置且所述像素电极与引线之间能够导通。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘层上设置有通孔,所述像素电极设置在绝缘层上未设置有通孔处,以使得所述像素电极与引线能够通过在所述通孔中设置导电材料导通。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘层上设置有通孔,所述阵列基板还包括设置在所述通孔中的连通层,所述像素电极设置在绝缘层上未设置有通孔处,且所述连通层与像素电极分隔设置,以使得所述像素电极与引线能够通过在所述连通层与像素电极的分隔处设置导电材料导通。
4.根据权利要求2或3所述的阵列基板,其特征在于,所述通孔侧壁与通孔底面的夹角为钝角。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述通孔侧壁与通孔底面的夹角为110°~120°。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板,其特征在于,
所述阵列基板应用的显示面板为常黑模式,所述引线为公共电极线或公共电极;
或者,所述阵列基板应用的显示面板为常白模式,所述引线为栅线。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板,其特征在于,
所述绝缘层包括栅极绝缘层和钝化层,所述钝化层设置在像素电极与栅极绝缘层之间;
或者,所述绝缘层为栅极绝缘层。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7中任一项所述的阵列基板。
9.一种阵列基板的维修方法,其特征在于,包括如下步骤:
A.在权利要求1-7中任一项所述的阵列基板中具有亮点像素瑕疵的像素区域设置导电材料,以使得所述阵列基板中具有亮点像素瑕疵的像素区域所对应的像素电极与引线之间能够经所述导电材料导通。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,
所述步骤A之前还包括如下步骤:
A-1.切断所述具有亮点像素瑕疵的像素区域中薄膜晶体管的源极;
或者,A-2.切断所述具有亮点像素瑕疵的像素区域中薄膜晶体管的漏极;
或者,A-3.分别切断所述具有亮点像素瑕疵的像素区域中薄膜晶体管的源极和漏极;
或者,A-4.切断所述具有亮点像素瑕疵的像素区域中薄膜晶体管的漏极与该像素区域对应的像素电极之间的连接。
11.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在基板上形成包括位于不同层的引线图形和像素电极图形的步骤;所述引线图形和像素电极图形之间具有绝缘层;
所述像素电极图形与所述引线图形分隔设置且所述像素电极与引线之间能够导通。
12.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,
在所述绝缘层上形成通孔;
所述像素电极图形形成在绝缘层上未设置有通孔处,以使得所述像素电极与引线能够通过在所述通孔中设置导电材料导通;
或者,
在所述绝缘层的通孔中形成连通层图形,所述像素电极图形形成在绝缘层上未设置有通孔处,并使得所述像素电极与连通层分隔设置,以使得所述像素电极与引线能够通过在所述连通层与像素电极的分隔处设置导电材料导通。
13.根据权利要求12所述的制作方法,其特征在于,
所述像素电极图形与连通层图形在同一次构图工艺中形成;所述像素电极与连通层采用相同材料。
14.根据权利要求12或13所述的制作方法,其特征在于,所述通孔的侧壁与通孔底面的夹角为钝角。
15.根据权利要求14所述的制作方法,其特征在于,所述通孔的侧壁与通孔底面的夹角为110°~120°。
16.根据权利要求11-15中任一项所述的制作方法,其特征在于,
所述阵列基板应用的显示面板为常黑模式,所述引线为公共电极线或公共电极;
或者,所述阵列基板应用的显示面板为常白模式,所述引线为栅线。
17.根据权利要求11-15中任一项所述的制作方法,其特征在于,
所述绝缘层包括栅极绝缘层和钝化层;
在所述引线图形上形成栅极绝缘层图形,在所述栅极绝缘层图形上形成钝化层图形;
或者,所述绝缘层为栅极绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





