[发明专利]生长具有倒V形粗化表面氮化物LED外延片的方法

权利要求书

1.生长具有倒V形粗化表面氮化物LED外延片的方法，其特征在于包括以下步骤：

1）在蓝宝石衬底上，采用金属有机物化学气相沉积法生长一层Al_(x)Ga_(1-x)N高温缓冲层；

其中，x为0~100；

2）升温，使Al_(x)Ga_(1-x)N缓冲层再结晶成核，选择在压力为500～800 mbar和N :Ga摩尔比为800~1200︰1条件下进行GaN外延膜生长，以获得位错密度为1×10⁸ ～1×10⁹cm^-2的u-GaN外延膜；

3）在u-GaN外延膜上依次外延生长LED所需的n-GaN和多量子阱MQWs；

4）在低温高压条件下，于多量子阱MQWs上生长pGaN，以获得具有倒V形的粗化表面。

2.根据权利要求1所述生长具有倒V形粗化表面氮化物LED外延片的方法，其特征在于步骤1）生长的所述Al_(x)Ga_(1-x)N高温缓冲层的厚度为25～100nm。

3.根据权利要求1或2所述生长具有倒V形粗化表面氮化物LED外延片的方法，其特征在于所述步骤1）中生长的温度条件为600～1200℃，压力条件为50～600 mbar。

4.根据权利要求1所述生长具有倒V菜粗化表面氮化物LED外延片的方法，其特征在于步骤4）的所述pGaN中，N和Ga的摩尔比为500～1200︰1。

5.根据权利要求1或4所述生长具有倒V形粗化表面氮化物LED外延片的方法，其特征在于所述步骤4）中生长温度条件为750～1200℃，生长压力条件为400～1000 mbar。

6.根据权利要求5所述生长具有倒V形粗化表面氮化物LED外延片的方法，其特征在于所述步骤4）中，所述生长是在750～800℃的低温条件下。

7.根据权利要求5所述生长具有倒V形粗化表面氮化物LED外延片的方法，其特征在于所述步骤4）中，所述生长是先750～800℃条件下生长2000～4000s，然后在压力不变的条件下，再升温至1000～1200℃生长200～400 s。

8.根据权利要求1或4所述生长具有倒V形粗化表面氮化物LED外延片的方法，其特征在于所述步骤4）中，采用Mg元素进行P型掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁷～5×10¹⁹ cm^-3。

9.根据权利要求1或4所述生长具有倒V形粗化表面氮化物LED外延片的方法，其特征在于步骤4）所述pGaN的厚度为300～800 nm。