[发明专利]充放电电路以及使用此充放电电路的锁相回路电路在审
| 申请号: | 201210415316.8 | 申请日: | 2012-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN103780080A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
| 发明(设计)人: | 谢宜政 | 申请(专利权)人: | 晨星软件研发(深圳)有限公司;晨星半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07;H03L7/08 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈亮 |
| 地址: | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 放电 电路 以及 使用 回路 | ||
1.一种充电放电电路,用以对一目标元件充放电,包含:
一连接端,耦接该目标元件,其中该充电放电电路透过该连接端提供一上升电流给该目标元件且透过该连接端自该目标元件汲取一下降电流:
一参考电流提供模块,用以提供一参考电流;
一上升电流模块,由一上升信号控制并根据该参考电流来提供该上升电流;以及
一下降电流模块,由一下降信号控制并根据该参考电流来汲取该下降电流,包含:
一第一开关模块,具有一控制端,该第一开关模块于该第一开关模块的该控制端接收该下降信号以决定该第一开关模块是否导通;
一第一偏压晶体管,其中该第一偏压晶体管的一第一端耦接该连接端,该第一偏压晶体管的一第二端耦接该第一开关模块,且该第一偏压晶体管的一控制端耦接该参考电流提供模块;以及
一第一电容模拟晶体管,其中该第一电容模拟晶体管的一第一端以及一第二端耦接于该第一开关模块的该控制端,且该第一电容模拟晶体管的一控制端耦接于该第一偏压晶体管的该控制端。
2.如权利要求1所述的充电放电电路,其特征在于,该第一开关模块包含:
一第一开关元件,其中该第一开关元件的一第一端耦接一第一预定电压,该第一开关元件的一第二端耦接该第一偏压晶体管的该第二端,且该第一开关元件的一控制端接收该下降信号;以及
一第二开关元件,其中该第二开关元件的一第一端耦接该第一开关元件的该第二端,该第二开关元件的一第二端耦接一第二预定电压,且该第二开关元件的一控制端耦接该一开关元件的该控制端并接收该下降信号。
3.如权利要求1所述的充电放电电路,其特征在于,当该下降信号使该第一开关模块导通时,该第一电容模拟晶体管为完全导通的状态。
4.如权利要求1所述的充电放电电路,其特征在于,该第一偏压晶体管以及该第一电容模拟晶体管为具有相同规格的晶体管。
5.如权利要求1所述的充电放电电路,其特征在于,该第一偏压晶体管以及该第一电容模拟晶体管均为N型金氧半导体晶体管。
6.如权利要求1所述的充电放电电路,其特征在于,该参考电流提供模块为一电流镜,且该第一偏压晶体管用以自该参考电流提供模块映射该参考电流以做为该下降电流。
7.如权利要求1所述的充电放电电路,其特征在于,该上升电流模块包含:
一第二开关模块,具有一控制端,该第二开关模块于该第二开关模块的该控制端接收该上升信号以决定该第二开关模块是否导通;
一第二偏压晶体管,其中该第二偏压晶体管的一第一端耦接该连接端,该第二偏压晶体管的一第二端耦接该开关模块,且该第二偏压晶体管的一控制端耦接该参考电流提供模块;以及
一第二电容模拟晶体管,其中该第二电容模拟晶体管的一第一端以及一第二端耦接于该第二开关模块的该控制端,且该第二电容模拟晶体管的一控制端耦接于该第二偏压晶体管的该控制端。
8.如权利要求7所述的充电放电电路,其特征在于,该第二开关模块包含:
一第一开关元件,其中该第一开关元件的一第二端耦接一第一预定电压,该第一开关元件的一第一端耦接该第二偏压晶体管的该第二端,且该第一开关元件的一控制端接收该上升信号;以及
一第二开关元件,其中该第二开关元件的一第二端耦接该第一开关元件的该第一端,该第二开关元件的一第一端耦接一第二预定电压,且该第二开关元件的一控制端耦接该第一开关元件的该控制端并接收该上升信号。
9.如权利要求7所述的充电放电电路,其特征在于,当该上升信号使该第二开关模块导通时,该第二电容模拟晶体管为完全导通的状态。
10.如权利要求7所述的充电放电电路,其特征在于,该第二偏压晶体管以及该第二电容模拟晶体管为具有相同规格的晶体管。
11.如权利要求7所述的充电放电电路,其特征在于,该第二偏压晶体管以及该第二电容模拟晶体管均为P型金氧半导体晶体管。
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