[发明专利]存储器内建自测试电路有效
| 申请号： | 201210413645.9 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102903393B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 李鸣 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 测试 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种存储器内建自测试电路，用于对存储装置进行测试，包括：命令解析电路、数据产生电路及方向选择电路，该命令解析电路一输入端自该方向选择电路输入测试输入数据，第一引脚接测试时钟输入至该命令解析电路，该数据产生电路输出测试输出数据至该方向选择电路，并输出一方向控制信号至该方向选择电路以对输入输出进行方向选择，该方向选择电路通过第二引脚进行数据的输入输出。
2.如权利要求1所述的存储器内建自测试电路，其特征在于：该测试电路还包括一第三引脚，该第三引脚连接存储装置以提供测试电源。
3.如权利要求1所述的存储器内建自测试电路，其特征在于：该命令解析电路产生并输出测试触发信号至该数据产生电路。
4.如权利要求1所述的存储器内建自测试电路，其特征在于：测试复位信号由该测试电路内部产生并输至该数据产生电路以便进行复位操作。
5.如权利要求1所述的存储器内建自测试电路，其特征在于：该方向选择电路为双向的输入输出单元。
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