[发明专利]存储器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201210413642.5 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102916053A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 张雄 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种存储器件，至少包括：半导体衬底，栅极结构，位于所述栅极结构一侧的源或漏区，其特征在于，还包括：位于所述栅极结构另一侧衬底表面且与所述栅极结构相对应的外延导电层，位于所述外延导电层同侧且覆盖所述栅极结构该侧侧壁以及所述外延导电层表面的隔离氧化层。
2.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述外延导电层与所述栅极结构相对应是指所述外延导电层与所述浮栅相对应。
3.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述外延导电层的厚度为所述隧穿氧化层与所述浮栅厚度之和的1/2至4/5。
4.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述外延导电层的厚度为所述隧穿氧化层与所述浮栅厚度之和的2/3。
5.一种存储器件制作方法，其特征在于，至少包括：
提供半导体衬底，所述衬底至少包括栅极结构；
在所述栅极结构一侧的侧壁通过自对准工艺形成侧墙；
在所述侧墙的一侧外延生长形成与所述栅极结构相对应的外延导电层；
在所述外延导电层上方依次淀积形成隔离氧化层，并形成字线。
6.如权利要求5所述的存储器件制作方法，其特征在于，所述外延导电层与所述栅极结构相对应是指所述外延导电层与所述浮栅相对应。
7.如权利要求5所述的存储器件，其特征在于，所述外延导电层的厚度为所述隧穿氧化层与所述浮栅厚度之和的1/2至4/5。
8.如权利要求5所述的存储器件制作方法，其特征在于，所述外延导电层的厚度为所述隧穿氧化层与所述浮栅厚度之和的2/3。
9.如权利要求5所述的存储器件制作方法，其特征在于，所述通过自对准工艺形成侧墙包括：采用化学气相沉积工艺在所述栅极结构一侧的侧壁生长氧化层；采用自对准工艺对所述氧化层进行刻蚀，形成紧贴所述栅极结构侧壁的侧墙。
10.如权利要求5所述的存储器件制作方法，其特征在于，采用选择性外延生长所述外延导电层，使得所述外延导电层仅在硅表面生长。
11.如权利要求5所述的存储器件制作方法，其特征在于，所述生长形成与栅极结构相对应的外延导电层还包括：形成所述外延导电层之后，湿法去除之前所述侧墙，以露出浮栅上部侧面。
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