[发明专利]薄膜晶体管及主动矩阵式平面显示装置有效
| 申请号： | 201210413171.8 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102891183A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 江政隆;陈柏林 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 主动 矩阵 平面 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
栅极；
第一绝缘层，设置在所述栅极上；
源极和漏极，分别设置在所述第一绝缘层上；以及
多个氧化物半导体层，依次层叠设置在所述源极和漏极以及所述第一绝缘层之间，其中，所述多个氧化物半导体层包括紧靠所述第一绝缘层设置的第一氧化物半导体层以及与所述源极和漏极电性连接的第二氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层的电阻率大于104Ω.cm，所述第二氧化物半导体层的电阻率小于1Ω.cm。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述多个氧化物半导体层中，所述第一氧化物半导体层的氧含量高于所述第二氧化物半导体层的氧含量。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二氧化物半导体层的载流子浓度大于1×1018cm-3。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一氧化物半导体层的载流子浓度小于1×1015cm-3。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，每一所述氧化物半导体层的组成成分包括锌的氧化物、锡的氧化物、铟的氧化物以及镓的氧化物中的至少一种。
6.一种主动矩阵式平面显示装置，其特征在于，所述主动矩阵式平面显示装置包括阵列基板，所述阵列基板包括：
基底；
栅极，设置在所述基底上；
第一绝缘层，设置在所述栅极上；
源极和漏极，设置在所述第一绝缘层上；以及
多个氧化物半导体层，依次层叠设置在所述源极和漏极以及所述第一绝缘层之间，其中，所述多个氧化物半导体层包括紧靠所述第一绝缘层设置的第一氧化物半导体层以及与所述源极和漏极电性连接的第二氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层的电阻率大于104Ω.cm，所述第二氧化物半导体层的电阻率小于1Ω.cm。
7.根据权利要求6所述的主动矩阵式平面显示装置，其特征在于，在所述多个氧化物半导体层中，所述第一氧化物半导体层的氧含量高于所述第二氧化物半导体层的氧含量。
8.根据权利要求6所述的主动矩阵式平面显示装置，其特征在于，所述第二氧化物半导体层的载流子浓度大于1×1018cm-3。
9.根据权利要求6所述的主动矩阵式平面显示装置，其特征在于，所述第一氧化物半导体层的载流子浓度小于1×1015cm-3。
10.根据权利要求6所述的主动矩阵式平面显示装置，其特征在于，每一所述氧化物半导体层的组成成分包括锌的氧化物、锡的氧化物、铟的氧化物以及镓的氧化物中的至少一种。
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