[发明专利]一种上电复位电路有效
| 申请号: | 201210410994.5 | 申请日: | 2012-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN102891670A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
| 发明(设计)人: | 曾明辉;毛锴;万为 | 申请(专利权)人: | 广州润芯信息技术有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22 |
| 代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 汤喜友 |
| 地址: | 510000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 复位 电路 | ||
1.一种上电复位电路,其特征在于,包括上电电路、电平触发电路及放电电路,所述上电电路包括电流镜、第一电容和第二电容,所述电流镜在上电复位电路被提供上电电压时分别向第一电容及第二电容充电,所述电平触发电路连接至上电电路的一电压参考节点,用于侦测所述电压参考节点的电压,并在所述电压参考节点的电压大于设定触发值时输出上电复位信号,所述放电电路连接在上电电路及电平触发电路之间,用于在所述上电电压消失后对第一电容及第二电容进行放电。
2.如权利要求1所述的上电复位电路,其特征在于,所述电流镜包括第一MOS管和第二MOS管,所述上电电路还包括二极管,第一MOS管的栅极与第二MOS管的栅极相连,第一MOS管的源极连接至电源电压接入点,所述电源电压接入点用于接入上电电压,第一MOS管的漏极与栅极相连,并通过第一电容接地,第二MOS管的源极连接至电源电压接入点,漏极连接至二极管的阳极,二极管的阴极通过第二电容接地。
3.如权利要求2所述的上电复位电路,其特征在于,所述电平触发电路包括斯密特触发器和第一反相器,斯密特触发器的输入端连接至第二电容与二极管之间,形成第一节点B,输出端连接至第一反相器的输入端,工作电压由上电电压提供,第一反相器的输出端用于输出上电复位信号。
4.如权利要求3所述的上电复位电路,其特征在于,第一反相器包括第三MOS管和第四MOS管,第三MOS管的栅极和第四MOS管的栅极连接至斯密特触发器U1的输出端,第三MOS管的源极连接至电源电压接入点,漏极与第四MOS管的漏极相连,第四MOS管的源极接地,第三MOS管的漏极与第四MOS管的漏极之间的第二节点F作为第一反相器的输出端。
5.如权利要求3所述的上电复位电路,其特征在于,放电电路包括第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管,第五MOS管的栅极与第六MOS管的栅极相连,并连接至电源电压接入点,第五MOS管的源极连接至节点B,漏极与第六MOS管的漏极相连,第六MOS管的源极接地,第七MOS管的栅极连接第五MOS管的漏极,漏极连接至节点B,源极接地,第八MOS管的栅极连接至第五MOS管的漏极,源极接地,漏极连接至上电电路的第一电容与第一MOS管之间,形成第三节点A。
6.如权利要求1或5所述的上电复位电路,其特征在于,第一电容的电容值大于第二电容的电容值。
7.如权利要求6所述的上电复位电路,其特征在于,所述斯密特触发器的设定触发值为60%-80%的上电电压值。
8.如权利要求6所述的上电复位电路,其特征在于,第八MOS管的宽长比大于或等于第七MOS的管宽长比的两倍。
9.如权利要求1或5所述的上电复位电路,其特征在于,第一电容的电容值为第二电容的电容值的三倍或三倍以上,第八MOS管的宽长比为第七MOS管的宽长比的六倍或六倍以上。
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