[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包含：

一N型半导体层，设置于一基板上；

一多重量子井层，设置于该N型半导体层上；

一P型氮化铟镓层，设置于该多重量子井层上；以及

一氧化铟锡层，设置于该P型氮化铟镓层上，该氧化铟锡层的晶粒尺寸介于5埃至1000埃间。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该P型氮化铟镓层的P型杂质是选自由铍、镁及其组合所构成的群组。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该氧化铟锡层是以溅镀制程形成。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包含一碱土金属合金层夹设于该P型氮化铟镓层及该氧化铟锡层间。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，该碱土金属合金层的材料是选自由金铍合金、金镁合金及其组合所构成的群组。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包含一未掺杂氮化镓层夹设于该N型半导体层及该基板间。

7.根据权利要求1至6中任一项权利要求所述的发光二极管，其特征在于，该P型氮化铟镓层的厚度介于5埃至1000埃间。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，该P型氮化铟镓层的厚度介于5埃至20埃间。

9.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，该氧化铟锡层的厚度介于5埃至1000埃间。

10.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，该氧化铟锡层的表面电阻介于100欧姆至5欧姆间。

11.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包含：

提供一基板；

形成一N型半导体层于该基板上；

形成一多重量子井层于该N型半导体层上；

形成一P型氮化铟镓层于该多重量子井层上；以及

形成一氧化铟锡层于该P型氮化铟镓层上，该氧化铟锡层的晶粒尺寸介于5埃至1000埃间。

12.根据权利要求11所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，该多重量子井层是由多个氮化铟镓中间层与多个氮化镓中间层交互堆叠而成，且该多重量子井层的顶层为一氮化铟镓层。

13.根据权利要求12所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，形成该P型氮化铟镓层步骤是通过有机金属化学气相沉积法，同步掺杂一P型杂质于该顶层中，以将该顶层转变为该P型氮化铟镓层。

14.根据权利要求13的发光二极管的制造方法，其特征在于，该P型杂质是选自有机碱土金属、铍、镁及其组合所构成的群组。

15.根据权利要求14所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，该有机碱土金属的材料是选自由二茂基铍、二茂基镁及其组合所构成的群组。

16.根据权利要求11所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，形成该P型氮化铟镓层步骤包含：

利用有机金属化学气相沉积一未掺杂的氮化铟镓层于该多重量子井层的一顶面上；以及

将P型杂质植入该未掺杂氮化铟镓层中。

17.根据权利要求16所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，该P型杂质是选自由镁离子、铍离子及其组合所构成的群组。

18.根据权利要求11所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，形成该P型氮化铟镓层步骤包含：

利用有机金属化学气相沉积一未掺杂的氮化铟镓层于该多重量子井层的该顶面上；

形成一碱土金属合金层于该未掺杂氮化铟镓层上；以及

施以一退火程序，使该碱土金属合金层中的碱土金属离子扩散进入该未掺杂氮化铟镓层中。

19.根据权利要求18所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，该退火程序是于温度大于或等于800度Ｃ的环境下进行。

20.根据权利要求18所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，该碱土金属合金层的材料是选自由金铍合金、金镁合金及其组合所构成的群组。

21.根据权利要求11至20中任一项权利要求所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，该氧化铟锡层是以溅镀法形成。