[发明专利]FinFET鳍状结构的制造方法

权利要求书

1.一种FinFET鳍状结构的制造方法，该方法包括以下步骤：

a)提供衬底(200)；

b)形成第一介质层(210)；

c)形成第二介质层(220)，所述第二介质层(220)与第一介质层相邻部分的材料与第一介质层(210)不同；

d)形成贯穿所述第二介质层(220)和第一介质层(210)的开口(230)，所述开口(230)部分暴露所述衬底；

e)在所述开口(230)中填充半导体材料；

f)去除第二介质层(220)，形成鳍状结构(240)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述步骤b）中，所述第一介质层(210)的材料包括氧化硅。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一介质层(210)的厚度为最后形成的器件隔离介质层的厚度，其范围是100-500nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述步骤c）中，所述第二介质层(220)的顶部包括化学机械抛光阻挡层。

5.根据权利要求1或4所述的方法，其中，所述第二介质层(220)包括三层薄膜，从下到上依次为氮化硅层、氧化硅层和氮化硅层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述氮化硅层的厚度为5-10nm。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述氧化硅层的厚度为暴露出的鳍状结构的高度，其范围是100-500nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述步骤d）中，所述开口(230)的宽度为最后形成的鳍状结构的宽度，其范围是10-50nm。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述步骤e）中，所述半导体材料为掺杂或非掺杂的单晶硅。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述步骤e）中，填充半导体材料的方法为外延生长。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述步骤e）中，填充半导体材料的方法包括沉积非晶硅并退火形成单晶硅。

12.根据权利要求1、10或11所述的方法，其中，在所述步骤e）中，填充半导体材料之后还包括进行化学机械抛光。