[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一介电层，位于半导体衬底上方；

开口，位于所述第一介电层内；

第二介电层，内衬所述开口；

势垒金属层，在所述开口内上覆所述第二介电层；

栅极金属层，在所述开口内上覆所述势垒金属层；以及

第三介电层，位于所述栅极金属层上方，其中，所述势垒金属层和所述栅极金属层形成第一电阻器。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三介电层是旋涂玻璃。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述势垒金属层进一步包括氮化钛层和氮化钽层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述栅极金属层包括氮化钛。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：位于所述半导体衬底上的PMOS器件，其中，所述PMOS器件包括栅电极，所述栅电极包括第一材料，所述势垒金属层包括所述第一材料。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，进一步包括：位于所述半导体衬底上的NMOS器件，其中，所述NMOS器件不包括所述第一材料。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述PMOS器件、所述NMOS器件以及所述第三介电层都具有相互共面的顶面。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第二电阻器，位于所述半导体衬底上，所述第二电阻器包括不同于所述第一电阻器的材料；以及

第三电阻器，位于所述半导体衬底上，所述第三电阻器具有不同于所述第一电阻器的形状。

9.一种半导体器件，包括：

位于衬底上的第一电阻器，所述第一电阻器包括：

U形第一金属层，包括第一金属；

U型第二金属层，与所述第一金属层相邻，所述第二金属层包括

第二金属；

介电材料，位于所述U形第二金属层内；以及

U形介电层，被定位为与所述第一金属层相邻。

10.一种半导体器件，包括：

位于半导体衬底上的第一电阻器，所述第一电阻器包括第一顶层；以及

位于所述半导体衬底上的第二电阻器，所述第二电阻器包括第二顶层，其中，所述第二顶层包括不同于所述第一顶层的材料。