[发明专利]一种电感器和EMI滤波器在审

专利信息
申请号: 201210387231.3 申请日: 2012-10-12
公开(公告)号: CN103730244A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 张春光;周建平;刘明明 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H01F37/00 分类号: H01F37/00;H01F27/30;H03H7/09
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 张恺宁
地址: 518057 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电感器 emi 滤波器
【说明书】:

技术领域

发明涉及电磁兼容领域,特别涉及一种电感器和EMI滤波器。

背景技术

与电子设备连接的电源线是电磁干扰传入和传出电子设备的主要途径,现有技术中,一般采用在电子设备的电源进线处和/或电子设备的电源出线处加EMI(电磁干扰)滤波器的方法来实现抑制电磁干扰,传统的EMI滤波器是由分立的电感器和电容器构成。

电感器是由磁芯和线圈组成,分为共模电感器和差模电感器,电感器的磁芯有EE型、EI型、I型以及罐型等多种形状,线圈用于缠绕在磁芯上。现有技术中,由于要在EE型、EI型、I型或者罐型的磁芯上缠绕多层线圈,从而导致电感器的寄生参数比较大,针对共模电感,由于两组线圈共用磁芯,距离很近,而且每组线圈都有多层,因而导致电感器的寄生耦合参数比较大。

而针对包含上述电感器的EMI滤波器,由于电感器的寄生参数比较大以及寄生耦合参数比较大,从而使得EMI滤波器的谐振点比较低,进而EMI滤波器的高频性能比较差。

综上所述,目前电感器的寄生参数比较大以及寄生耦合参数比较大,包含上述电感器的EMI滤波器的高频性能比较差。

发明内容

本发明实施例提供的一种电感器,用以解决现有技术中存在的电感器的寄生参数比较大以及寄生耦合参数比较大的问题;

相应地,本发明实施例还提供的一种EMI滤波器,用以解决现有技术中存在的EMI滤波器的高频性能比较差的问题。

本发明实施例提供的一种电感器,包括穿孔平板磁矩阵和至少一根带有电磁干扰的导线;带有电磁干扰的导线穿过穿孔平板磁矩阵的至少一个穿孔。

本发明实施例还提供的一种电磁干扰EMI滤波器,包括上述的电感器。

在本发明实施例中,电感器包括穿孔平板磁矩阵和至少一根带有电磁干扰的导线;带有电磁干扰的导线穿过穿孔平板磁矩阵的至少一个穿孔,因为本发明实施例提供的电感器的穿孔平板磁矩阵相当于传统电感器的磁芯,本发明实施例提供的电感器的带有电磁干扰的导线相当于传统电感器的线圈,带有电磁干扰的导线穿过穿孔平板磁矩阵的至少一个穿孔相当于线圈缠绕磁芯,所以带有电磁干扰的导线穿过穿孔平板磁矩阵的至少一个穿孔实现电感器的功能,在本发明实施例中,一根带有电磁干扰的导线穿过穿孔平板磁矩阵的至少一个穿孔相当于一个差模电感器,至少两根带有电磁干扰的导线穿过穿孔平板磁矩阵的相同的穿孔路径相当于一个共模电感器,由于可以只用一根导线形成一个差模电感器,可用两根导线形成一个共模电感器,实现了用一层导线形成电感器从而减小了电感器的寄生参数以及电感器的寄生耦合参数,另外,由于本发明提供的EMI滤波器包括具有较小寄生参数以及较小寄生耦合参数的电感器,从而使得EMI滤波器的谐振点升高了,进而提高了EMI滤波器的高频性能。

附图说明

图1为本发明实施例差模电感结构示意图;

图2为本发明实施例共模电感结构示意图;

图3为本发明实施例差模电感和共模电感结构示意图;

图4为本发明实施例穿孔路径示意图;

图5为本发明实施例穿孔数量示意图;

图6为本发明实施例EMI滤波器结构示意图。

具体实施方式

在本发明实施例中,电感器包括穿孔平板磁矩阵和至少一根带有电磁干扰的导线;带有电磁干扰的导线穿过穿孔平板磁矩阵的至少一个穿孔,因为本发明实施例提供的电感器的穿孔平板磁矩阵相当于传统电感器的磁芯,本发明实施例提供的电感器的带有电磁干扰的导线相当于传统电感器的线圈,带有电磁干扰的导线穿过穿孔平板磁矩阵的至少一个穿孔相当于线圈缠绕磁芯,所以带有电磁干扰的导线穿过穿孔平板磁矩阵的至少一个穿孔实现电感器的功能,在本发明实施例中,一根带有电磁干扰的导线穿过穿孔平板磁矩阵的至少一个穿孔相当于一个差模电感器,至少两根带有电磁干扰的导线穿过穿孔平板磁矩阵的相同的穿孔路径相当于一个共模电感器,由于可以只用一根导线形成一个差模电感器,可用两根导线形成一个共模电感器,实现了用一层导线形成电感器从而减小了电感器的寄生参数以及电感器的寄生耦合参数,另外,由于本发明提供的EMI滤波器包括具有较小寄生参数以及较小寄生耦合参数的电感器,从而使得EMI滤波器的谐振点升高了,进而提高了EMI滤波器的高频性能。

下面结合说明书附图对本发明实施例作进一步详细描述。

本发明实施例的电感器,包括穿孔平板磁矩阵和至少一根带有电磁干扰的导线;带有电磁干扰的导线穿过穿孔平板磁矩阵的至少一个穿孔。

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