[发明专利]一种圆片级芯片封装方法有效
| 申请号： | 201210385667.9 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102881644A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 陈栋;张黎;胡正勋;陈锦辉;赖志明 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/78;H01L23/48 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼然 |
| 地址： | 214429 江苏省无锡市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 圆片级 芯片 封装 方法 | ||
1.一种圆片级芯片封装方法，其工艺步骤如下：
步骤一：取集成了芯片电极（2）及芯片感应区（3）的芯片本体（1）组成的晶圆（T1）；
步骤二：通过健合工艺将盖板（5）与晶圆（T1）通过隔离层（4）粘接在一起；
步骤三：将上述结构上下翻转180°，通过磨片、干法刻蚀或湿法腐蚀方法，将晶圆（T1）减薄到设定厚度；
步骤四：对上述结构依次通过光刻、干法刻蚀、去除光刻胶、再次干法刻蚀的方法，形成喇叭形的硅通孔（11），所述硅通孔（11）的顶部直达芯片电极（2）的下表面；
步骤五：在硅通孔（11）内部及芯片本体（1）下表面通过化学气相沉积（CVD）的方法，形成绝缘层（12）；
步骤六：通过干法刻蚀的方法，使芯片电极（2）的下表面露出绝缘层（12）；
步骤七：在芯片电极（2）的下表面和在绝缘层（12）上依次通过溅射、光刻、电镀、光刻胶剥离以及金属刻蚀工艺，或者通过溅射、光刻、金属刻蚀及化学镀工艺，形成选择性的金属线路层（7）；
步骤八：在所述绝缘层（12）和金属线路层（7）上通过光刻工艺选择性地形成线路保护层（8），并在所述金属线路层（7）的露出线路保护层（8）的地方印刷焊料或电镀焊料或植放焊球，然后使焊料或焊球通过回流的方法形成与金属线路层（7）连接的焊球（9）；
步骤九：将上述晶圆（T1）进行切割，形成单颗的圆片级喇叭形孔芯片封装结构。
2.根据权利要求1所述的一种圆片级芯片封装方法，其特征在于：在步骤二中，所述隔离层（4）通过涂胶或贴膜、曝光、显影、固化的方法，在玻璃或硅片制成的盖板（5）上成形。
3.根据权利要求1所述的一种圆片级芯片封装方法，其特征在于：在步骤二中，所述隔离层（4）通过涂胶或贴膜、曝光、显影、固化的方法，在晶圆（T1）上成形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
