[发明专利]一种改善等离子体刻蚀工艺的方法

权利要求书

1.一种改善等离子体刻蚀工艺的方法，所述方法在一等离子体处理腔内进行，所述等离子体处理腔内包括一下电极，用于支撑待处理基片；所述下电极上方设置一上电极，所述上电极设有若干个气体通道，所述上电极连接一控温装置，用于动态调节所述上电极温度，其特征在于：所述方法包括下列步骤：

a)将反应气体注入等离子体处理腔内，所述反应气体包括碳氟气体，所述碳氟气体在所述上电极和所述下电极的作用下解离成自由基CFx和自由基F；

b)先调节上电极温度至第一温度，所述第一温度小于100℃，在此温度下等离子体处理腔内对基片的底部抗反射层进行刻蚀，同时，自由基CFx在所述上电极表面发生聚合物沉积反应；

c)再调节上电极温度至第二温度，所述第二温度大于80℃，在此温度下等离子体处理腔内对基片的电介质层进行刻蚀，同时，自由基F对所述上电极表面和上电极表面沉积的聚合物进行化学腐蚀反应。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在同一工艺条件下，所述第二温度高于所述第一温度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的第二温度与第一温度温差大于20℃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述待处理基片依次为光刻胶层、底部抗反射层、电介质层和基底。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述待处理基片的电介质层厚度大于底部抗反射层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述上电极表面会同时发生自由基CFx聚合物的沉积和自由基F对电极表面的化学腐蚀及对碳氟聚合物的腐蚀两种化学过程，在不同的上电极温度下，两种化学过程的速率不同,所述沉积反应速率随着上电极温度的升高而降低，所述腐蚀反应速率随着上电极温度的升高而升高。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述上电极连接的控温装置包括一加热部件，所述加热部件材质为金属材质，内部设置有加热丝。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的控温装置包括一热交换器，所述热交换器内填充热交换液，用于冷却或者加热所述上电极。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的反应气体还包括氧气。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述等离子体反应腔内压力在100毫托-200毫托之间。