[发明专利]CMC构件、功率发生系统和形成CMC构件的方法有效
| 申请号： | 201210368986.9 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103030416A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | P.德迪戈 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;F01D5/28;F01D9/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李强;杨炯 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmc 构件 功率 发生 系统 形成 方法 | ||
1.一种用于功率发生系统(10)的陶瓷基质复合构件(100)，包括：
陶瓷泡沫芯体(120)；以及
包围所述陶瓷泡沫芯体(120)的至少一部分的陶瓷基质复合材料(130)，其中，所述陶瓷泡沫芯体(120)在所述构件(100)的运行期间保持就位。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基质复合构件(100)，其特征在于，所述陶瓷泡沫芯体(120)包括选自氧化铝、莫来石、硅石、氧化锆、锆石、碳化硅、硼化硅及它们的组合的材料。
3.根据权利要求2所述的陶瓷基质复合构件(100)，其特征在于，所述陶瓷泡沫芯体(120)选自开孔泡沫或闭孔泡沫。
4.根据权利要求1所述的陶瓷基质复合构件(100)，其特征在于，陶瓷基质复合(100)包括至少一个增强纤维(132)和基质材料(134)。
5.根据权利要求4所述的陶瓷基质复合构件(100)，其特征在于，所述至少一个增强纤维(132)包括选自金属纤维、陶瓷纤维、碳纤维及它们的组合的材料。
6.根据权利要求4所述的陶瓷基质复合构件(100)，其特征在于，所述基质材料(134)选自SiC、SiN及它们的组合。
7.根据权利要求1所述的陶瓷基质复合构件(100)，其特征在于，中间层(138)在所述陶瓷泡沫芯体(120)附近，并且在所述陶瓷基质复合材料(130)附近。
8.一种形成陶瓷基质复合构件(100)的方法(700)，包括：
提供陶瓷泡沫芯体(120)，所述陶瓷泡沫芯体(120)具有预定几何构造；
组装包括所述陶瓷泡沫芯体(120)的陶瓷基质复合构件(100)预成形件；
使所述陶瓷基质复合构件(100)预成形件和陶瓷泡沫芯体(120)固化；
渗透固化的陶瓷基质复合构件(100)预成形件和陶瓷泡沫芯体(120)，以形成所述陶瓷基质复合构件(100)。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，提供陶瓷泡沫芯体(120)的步骤包括对所述陶瓷泡沫芯体(120)添加中间层(138)。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，使用具有期望的几何构造的模子来形成所述芯体(120)。
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