[发明专利]包括存储器件和系统的半导体器件的设定数据储存

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年9月22日提交的韩国专利申请No.10-2011-0095763的优先权，其全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及存储系统设定信息储存，且更具体而言涉及用于储存供诸如非易失性存储器件的各种器件的操作使用的设定信息的设定数据储存电路。

背景技术

诸如摄录像机、数字相机、携带型电话、MP3（MPEG-1层3）播放器等的高性能移动产品是有需求的。

这些移动产品中大多数（如果不是全部的话）需要存储器件作为子组件部分。要应用于移动产品中的通常为非易失性类型的存储器件的内部选项或设定通过符合移动产品的操作特性来决定，以便允许存储器件与移动产品中运行的应用程序配合地操作。随着伴随移动技术的进步越来越多的应用在移动产品中运行，使用熔丝来设定用于移动产品中的非易失性存储器件的内部选项或设定的传统方式具有诸多限制。通常，非易失性存储器中的熔丝用来储存设定信息；然而，在高集成、高性能的移动集成电路中，熔丝所占据的电路面积有可能变为相当大。为了克服此问题，常常使用内容可寻址存储器（CAM）单元来替代熔丝储存设定信息。

通常，仅允许读取操作存取CAM单元中储存的信息。一旦在将器件投入市场之前，制造商写入信息到CAM单元，则不允许使用者或控制器对CAM单元进行重写。在非易失性NAND快闪存储器中，例如，设定信息被储存在存储器的某一模块中。为了确保CAM单元的可靠性，在一页中多次写入相同的数据。当执行CAM单元读取操作时，多次写入页中的数据被读取，且读取数据被比较。然后，已连续地被读取到大多数次的相同数据被辨识为真实或正确数据。然而，当非易失性存储器中的数据被读取如此多的次数时，非易失性存储器因其固有的读取干扰特性而会最终失去保留所储存的数据的能力。因此，当CAM单元数据经受重复的读取操作如此多的次数作为确保数据读取的完整性的过程的一部分时，可能会在非易失性存储器中丢失CAM单元数据。

发明内容

根据本发明的实施例来改善设定信息储存电路的可靠性。

根据本发明的一个实施例，一种设定数据储存电路可以包括：设定数据储存模块，其被配置成储存设定数据；存取单元，其被配置成存取所述设定数据储存模块的所述设定数据；错误检测单元，其被配置成检测所述设定数据中的错误；以及错误恢复单元，其被配置成在错误检测单元检测到错误时恢复所述设定数据储存模块中的错误。

设定数据可以相同地被储存在设定数据储存模块中的至少两个区域（诸如，页）中。错误检测单元可通过比较储存在设定数据储存模块中的不同区域中的设定数据来检测错误。错误恢复单元可在错误检测单元检测到错误时改变供设定数据储存模块中的设定数据的读取使用的区域，或可以控制存取单元，使得在错误检测单元检测到错误时将设定数据重写入设定数据储存模块中。

此外，根据本发明的一个实施例，一种设定数据储存电路可以包括：设定数据储存模块，其被配置成储存设定数据；存取单元，其被配置成存取设定数据储存模块的设定数据；计数器，其被配置成对存取单元存取设定数据的次数进行计数；和错误恢复单元，其被配置成在计数器所计数的存取次数等于或大于预定次数时恢复设定数据储存模块。

可以在错误恢复单元执行恢复操作时初始化计数器。计数器可通过对包括设定数据储存电路的系统的加电次数进行计数而对存取次数进行计数。

另外，根据本发明的一个实施例，一种非易失性存储器件可以包括：多个正常数据储存模块，其被配置成储存正常数据；设定数据储存模块，其被配置成储存设定数据；页缓冲器阵列，其被配置成存取所述多个正常数据储存模块和所述设定数据储存模块的数据；错误检测单元，其被配置成检测设定数据中的错误；以及错误恢复单元，其被配置成在错误检测单元检测到错误时恢复所述设定数据储存模块中的错误。

另外，根据本发明的一个实施例，一种非易失性存储器件可以包括：多个正常数据储存模块，其被配置成储存正常数据；设定数据储存模块，其被配置成储存设定数据；页缓冲器阵列，其被配置成存取所述多个正常数据储存模块和所述设定数据储存模块的数据；计数器，其被配置成对加电次数进行计数；以及错误恢复单元，其被配置成在加电次数等于或大于预定次数时恢复所述设定数据储存模块。