[发明专利]包括存储器件和系统的半导体器件的设定数据储存

权利要求书

1.一种设定数据储存电路，包括：

设定数据储存模块，所述设定数据储存模块被配置成储存设定数据；

存取单元，所述存取单元被配置成存取所述设定数据储存模块中的设定数据；

错误检测单元，所述错误检测单元被配置成检测所述设定数据中的错误；以及

错误恢复单元，所述错误恢复单元被配置成在所述错误检测单元检测到错误时恢复所述设定数据储存模块中的错误。

2.如权利要求1所述的设定数据储存电路，其中，相同的设定数据被储存在所述设定数据储存模块中的至少两个区域中。

3.如权利要求2所述的设定数据储存电路，其中，所述区域包括页。

4.如权利要求2所述的设定数据储存电路，其中，所述错误检测单元通过比较多个所述设定数据来检测错误，所述多个所述设定数据中的每个被储存在所述设定数据储存模块中的至少两个区域中的每个中。

5.如权利要求2所述的设定数据储存电路，其中，所述错误恢复单元被配置成在所述错误检测单元检测到错误时，选择用于读取所述设定数据储存模块中的所述设定数据的所述至少两个区域之中的另一区域。

6.如权利要求2所述的设定数据储存电路，其中，所述错误恢复单元控制所述存取单元，使得在所述错误检测单元检测到错误时所述设定数据被重写入所述设定数据储存模块中。

7.如权利要求1所述的设定数据储存电路，还包括：

计数器，所述计数器被配置成对所述存取单元存取所述设定数据的次数计数，

其中，所述错误检测单元被配置成每当所述设定数据被所述存取单元存取预定次数之后操作。

8.如权利要求1所述的设定数据储存电路，还包括：

计数器，所述计数器被配置成对具有所述设定数据储存电路的系统的加电次数计数，

其中，所述错误检测单元被配置成每经过预定加电次数之后操作。

9.一种设定数据储存电路，包括：

设定数据储存模块，所述设定数据储存模块被配置成储存设定数据；

存取单元，所述存取单元被配置成存取所述设定数据储存模块中的所述设定数据；

计数器，所述计数器被配置成对所述存取单元存取所述设定数据的次数计数；以及

错误恢复单元，所述错误恢复单元被配置成每当所述设定数据被所述存取单元存取预定次数之后恢复所述设定数据储存模块。

10.如权利要求9所述的设定数据储存电路，其中，在所述错误恢复单元执行恢复操作时所述计数器被初始化。

11.如权利要求9所述的设定数据储存电路，

其中，所述设定数据被储存在所述设定数据储存模块中的至少两个区域中，且

其中，所述错误恢复单元被配置成选择用于读取所述设定数据储存模块中的所述设定数据的所述至少两个区域之中的另一区域。

12.如权利要求9所述的设定数据储存电路，其中，所述错误恢复单元控制所述存取单元，使得将所述设定数据被重写入所述设定数据储存模块中。

13.如权利要求9所述的设定数据储存电路，其中，所述计数器被配置成通过对具有所述设定数据储存电路的系统的加电次数进行计数，来对存取次数进行计数。

14.一种存储器件，包括：

多个正常数据储存模块，所述多个正常数据储存模块被配置成储存正常数据；

设定数据储存模块，所述设定数据储存模块被配置成储存设定数据；

页缓冲器阵列，所述页缓冲器阵列被配置成存取所述多个正常数据储存模块和所述设定数据储存模块的数据；

错误检测单元，所述错误检测单元被配置成检测所述设定数据中的错误；以及

错误恢复单元，所述错误恢复单元被配置成在所述错误检测单元检测到错误时恢复所述设定数据储存模块中的错误。