[发明专利]制造半导体装置的方法和回流预处理装置

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包括如下步骤：

将被焊接对象和用于捕获悬浮固体的过滤器两者都布置在预定位置处，其中在所述对象中布置了包含锡的焊料；以及

在将所述被焊接对象和所述用于捕获悬浮固体的过滤器布置在所述预定位置处的同时，利用氢自由基对布置在所述被焊接对象中的所述焊料进行照射，

其中在将所述被焊接对象和所述用于捕获悬浮固体的过滤器布置在所述预定位置处的同时，将所述氢自由基照射到通过所述用于捕获悬浮固体的过滤器之后的所述焊料上。

2.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，还包括如下步骤：

在利用所述氢自由基对所述焊料进行照射的同时，将所述用于捕获悬浮固体的过滤器加热至所述用于捕获悬浮固体的过滤器捕获悬浮固体的温度。

3.如权利要求2所述的制造半导体装置的方法，还包括如下步骤：

在利用所述氢自由基对所述焊料进行照射的同时，相对于所述被焊接对象移动所述用于捕获悬浮固体的过滤器。

4.如权利要求3所述的制造半导体装置的方法，还包括如下步骤：

在利用所述氢自由基对所述焊料进行照射的同时，将所述焊料加热至除去氧化膜的温度。

5.如权利要求1至4中任一项所述的制造半导体装置的方法，还包括如下步骤：

通过将已经利用氢自由基进行照射的所述焊料熔化并凝固而形成多个焊料凸块。

6.如权利要求5所述的制造半导体装置的方法，还包括如下步骤：

通过所述焊料凸块对所述被焊接对象和焊接对象进行焊接，

其中所述被焊接对象包含在半导体衬底上形成的多个电路和各自电连接到所述电路的各个端子上的多个第一焊盘，

其中所述焊接对象包含多个第二焊盘，且

其中所述焊料凸块中的各个焊料凸块将所述第一焊盘中的一个焊盘电连接到所述第二焊盘中的一个焊盘上。

7.一种回流预处理装置，包含：

氢自由基发生器，所述氢自由基发生器用于将氢自由基照射到布置在被焊接对象中的焊料上；和

用于捕获悬浮固体的过滤器，

其中以使得将所述氢自由基照射到通过所述用于捕获悬浮固体的过滤器之后的所述焊料上的方式布置所述用于捕获悬浮固体的过滤器。

8.如权利要求7所述的回流预处理装置，其中所述用于捕获悬浮固体的过滤器由包含镍或铜的金属形成。

9.如权利要求7所述的回流预处理装置，还包含：

用于捕获悬浮固体的过滤器用加热器，其用于对所述用于捕获悬浮固体的过滤器进行加热。

10.如权利要求7所述的回流预处理装置，还包含：

被焊接对象用加热器，其用于对所述焊料进行加热。

11.如权利要求7所述的回流预处理装置，还包含：

执行器，其用于相对于所述被焊接对象移动所述用于捕获悬浮固体的过滤器。

12.如权利要求11所述的回流预处理装置，还包含：

控制装置，其用于以使得在利用所述氢自由基对所述焊料进行照射的同时，所述用于捕获悬浮固体的过滤器相对于所述被焊接对象移动的方式对所述执行器进行控制。