[发明专利]一种温度测量与校准电路及无源射频识别标签以及温度测量方法

权利要求书

1.一种温度测量与校准电路，其特征在于，所述该电路包括：

参考基准电压生成电路，其输入输出端连接至外部检测装置，其输出端分别连接第一放大电路和第二放大电路，用于生成不随温度与工艺参数变化的第一带隙基准电压信号，即上限参考电压值至第一放大电路，和第二带隙基准电压信号，即下限参考电压值至第二放大电路；

温度测量电压生成电路，其输出端连接至外部检测装置及电压平移调节电路，用于生成随温度呈线性变化的电压值；

电压平移调节电路，其输入端连接至外部检测装置及温度测量电压生成电路，用于在接收到外部检测装置输入的电压平移调节指示信号后，平移所述温度测量电压值至放大电路；

三个放大电路，其中第一放大电路和第二放大电路均接成单位增益的缓冲器形式，用于分别调整所述上限参考电压值和下限参考电压值并输出至模数转换电路，第三放大电路接成放大增益倍数可调的形式，用于放大温度测量电压值，将该电压值调整到上限参考电压值和下限参考电压值之间并输出至模数转换电路；

模数转换电路，用于将所述上限参考电压值和下限参考电压值转换成数字信号，并将所述介于上限参考电压值和下限参考电压值之间的温度测量电压值转换成数字信号，这个数字信号即代表温度量。

2.根据权利要求1所述的温度测量与校准电路，其特征在于，所述该温度测量与校准电路还包括连接于电源与地线之间的稳压滤波电路。

3.根据权利要求1所述的温度测量与校准电路，其特征在于，所述参考基准电压生成电路包括并联连接的第一P型MOS管，第二P型MOS管及第三P型MOS管，

所述第一P型MOS管，第二P型MOS管及第三P型MOS管源极分别耦接至电源作为电流源，栅极分别耦接至第一放大器输出端，所述第一P型MOS管漏极耦接至第一放大器负输入端及第一PNP三极管的发射极，第一PNP三极管的基极与其集电极耦接并接地，第一电阻一端接入第一放大器负输入端，其另一端接地；

所述第二P型MOS管漏极耦接至第一放大器正输入端，并通过第三电阻耦接至第二PNP三极管的发射极，第二PNP三极管的基极与其集电极耦接并接地，第二电阻一端接入第一放大器正输入端，其另一端接地；

所述第三P型MOS管漏极通过第一调节电阻及第二调节电阻接地。

4.根据权利要求1所述的温度测量与校准电路，其特征在于，所述温度测量电压生成电路包括与温度系数成正比的电流源及与其串接并接地的第六电阻，用于生成随温度变化的电压值信号并输出至电压平移调节电路。

5.根据权利要求1所述的温度测量与校准电路，其特征在于，所述电压平移调节电路包括并联连接的第四N型MOS管、第五N型MOS管及第六N型MOS管，

所述第四N型MOS管、第五N型MOS管及第六N型MOS管作为源极跟随器，其漏极分别耦接至电源，源极分别耦接至电压输出端，用于输出随温度系数呈线性变化的电压值信号，所述第五N型MOS管及第六N型MOS管栅极分别通过第一开关及第二开关耦接至第四N型MOS管栅极，

所述第四N型MOS管、第五N型MOS管及第六N型MOS管源极分别耦接至第一电流源、第二电流源及第三电流源输入端，所述第一电流源输出端接地，所述第二电流源及第三电流源输出端分别通过第三开关及第四开关接地。

6.根据权利要求1所述的温度测量与校准电路，其特征在于，所述放大电路包括第二放大器，所述第二放大器正输入端连接至电压平移调节电路作为放大信号输入脚，其负输入端通过第八开关及第十一电阻接地，其输出端依次串接第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻及第十一电阻接地，第五开关、第六开关及第七开关一端接入所述第二放大器负输入端，其另一端分别连接至所述第七电阻与第八电阻之间、第八电阻与第九电阻之间及第九电阻与第十电阻之间。

7.一种无源射频识别标签，其特征在于，所述无源射频识别标签包括权利要求1至6中任一项所述的温度测量与校准电路。