[发明专利]晶片加工方法

权利要求书

1.一种晶片加工方法，用以提升晶片的强度，所述晶片具有多个表面，且所述多个表面包含具有最大面积的一最大面以及连接所述最大面一边缘的一侧表面，所述方法包含下列步骤：以一刻蚀方法刻蚀所述晶片的所述侧表面，以于所述侧表面上形成用以分散所述晶片的应力的一纳米结构层。

2.根据权利要求1所述的晶片加工方法，其特征在于，所述纳米结构层包含有多个纳米结构。

3.根据权利要求2所述的晶片加工方法，其特征在于，所述多个纳米结构的形状包含纳米柱及纳米针中至少一个。

4.根据权利要求3所述的晶片加工方法，其特征在于，两相邻的所述纳米结构顶端的间距介于10纳米至1000纳米之间。

5.根据权利要求2所述的晶片加工方法，其特征在于，所述纳米结构的深度介于0.1微米至100微米之间。

6.根据权利要求1所述的晶片加工方法，其特征在于，所述刻蚀方法为湿法刻蚀法。

7.根据权利要求6所述的晶片加工方法，其特征在于，所述湿法刻蚀法包含下列步骤： 将所述侧表面浸入一刻蚀液中，以于预定时间内对所述侧表面进行刻蚀；以及 刻蚀后以一清除液清除所述侧表面上残留的刻蚀液分子颗粒。

8.根据权利要求7所述的晶片加工方法，其特征在于，所述刻蚀液由氢氟酸及硝酸银依照预定浓度比例混合于一溶剂中而成。

9.根据权利要求8所述的晶片加工方法，其特征在于，所述预定时间大于20分钟。

10.根据权利要求8所述的晶片加工方法，其特征在于，刻蚀后所述侧表面上残留的刻蚀液分子颗粒为银分子颗粒，并且所述清除液至少由硝酸及去离子水依一预定体积比例混合而成。

11.根据权利要求1所述的晶片加工方法，其特征在于，所述刻蚀方法为等离子体刻蚀方法。

12.根据权利要求1所述的晶片加工方法，其特征在于，采用所述刻蚀方法刻蚀所述晶片的所述侧表面的步骤，进一步形成所述纳米结构层于所述最大面的所述边缘上的一范围内，并且所述范围自所述边缘朝所述最大面的中心沿伸1厘米。