[发明专利]一种新型谐振巨磁阻抗效应磁敏感器件有效

专利信息
申请号: 201210349384.9 申请日: 2012-09-19
公开(公告)号: CN102854479A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 王三胜;褚向华 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 北京永创新实专利事务所 11121 代理人: 姜荣丽
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 新型 谐振 磁阻 效应 敏感 器件
【权利要求书】:

1.一种新型谐振巨磁阻抗效应磁敏感器件,其特征在于:将具有磁阻抗效应的磁敏感器件等效为由一个等效电感和一个等效电阻串联组成,将电容直接连接在磁阻抗效应的磁敏感器件的两端。

2.一种新型谐振巨磁阻抗效应磁敏感器件的设计方法,其特征在于:

第一步,将具有磁阻抗效应的磁敏感器件等效为由一个等效电感和一个等效电阻串联组成,等效电感Ls(f)和等效电阻Rs(f)分别使用阻抗分析仪测出,得到等效电感和等效电阻随频率的变化曲线;

第二步,选定一个谐振频率,根据第一步中得到的等效电感随频率的变化曲线、等效电阻随频率的变化曲线,查找出与谐振频率f0相应的等效电感Ls(f0)和等效电阻Rs(f0);

第三步,根据公式(1)计算出谐振频率为f0时,需要的匹配电容C:

f0=12π1Ls(f0)·C-(Rs(f0)Ls(f0))2---(1)]]>

3.根据权利要求2所述的设计方法,其特征在于:所述的匹配电容,首先根据公式1计算值选出标称值的电容;其次,对选出的标称值的电容的实际值进行测量得到测量值,计算测量值与计算值的差值,如果所述的差值X满足5pF≤X≤15pF,将标称值的电容作为匹配电容并联在非晶带的两端;否则,再次选出与差值X相应标称值的电容与前面选出的标称值的电容进行并联构成新的电容;再次进行新的电容的电容值的测量,直到测量值与计算值的差值X满足5pF≤X≤15pF。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学,未经北京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210349384.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top