[发明专利]一种新型谐振巨磁阻抗效应磁敏感器件有效
| 申请号: | 201210349384.9 | 申请日: | 2012-09-19 |
| 公开(公告)号: | CN102854479A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
| 发明(设计)人: | 王三胜;褚向华 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
| 主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
| 代理公司: | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人: | 姜荣丽 |
| 地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 新型 谐振 磁阻 效应 敏感 器件 | ||
1.一种新型谐振巨磁阻抗效应磁敏感器件,其特征在于:将具有磁阻抗效应的磁敏感器件等效为由一个等效电感和一个等效电阻串联组成,将电容直接连接在磁阻抗效应的磁敏感器件的两端。
2.一种新型谐振巨磁阻抗效应磁敏感器件的设计方法,其特征在于:
第一步,将具有磁阻抗效应的磁敏感器件等效为由一个等效电感和一个等效电阻串联组成,等效电感Ls(f)和等效电阻Rs(f)分别使用阻抗分析仪测出,得到等效电感和等效电阻随频率的变化曲线;
第二步,选定一个谐振频率,根据第一步中得到的等效电感随频率的变化曲线、等效电阻随频率的变化曲线,查找出与谐振频率f0相应的等效电感Ls(f0)和等效电阻Rs(f0);
第三步,根据公式(1)计算出谐振频率为f0时,需要的匹配电容C:
3.根据权利要求2所述的设计方法,其特征在于:所述的匹配电容,首先根据公式1计算值选出标称值的电容;其次,对选出的标称值的电容的实际值进行测量得到测量值,计算测量值与计算值的差值,如果所述的差值X满足5pF≤X≤15pF,将标称值的电容作为匹配电容并联在非晶带的两端;否则,再次选出与差值X相应标称值的电容与前面选出的标称值的电容进行并联构成新的电容;再次进行新的电容的电容值的测量,直到测量值与计算值的差值X满足5pF≤X≤15pF。
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