[发明专利]包括被漏电流偏置的差分放大器的电流传感器

权利要求书

1.一种电流传感器，包括：

差分放大器，其包括第一节点、第二节点和输出端；

第一电阻器，其具有耦合到所述第一节点的第一端部和耦合到换能器的第二端部；以及

第二电阻器，其具有耦合到所述第二节点的第一端部并且还具有第二端部，

其中，当所述第二电阻器的第二端部未被连接并且所述差分放大器被供电电压驱动时，所述第一节点被第一漏电流偏置，并且所述第二节点被第二漏电流偏置，使得所述输出端表示流经所述换能器的电流。

2.根据权利要求1所述的电流传感器，其中，所述第一漏电流基本与所述第二漏电流匹配。

3.根据权利要求1所述的电流传感器，其中，所述输出端表示所述第一漏电流的分数。

4.根据权利要求1所述的电流传感器，其中，

所述第一电阻器包括半导体电阻器；以及

所述第二电阻器包括半导体电阻器。

5.根据权利要求4所述的电流传感器，其中，当偏置电压被施加到所述换能器时，所述偏置电压被施加到所述第一电阻器的隔离阱，并且所述偏置电压被施加到所述第二电阻器的隔离阱。

6.根据权利要求5所述的电流传感器，其中，

所述第一电阻器的主体和所述隔离阱形成可操作为提供对静电放电ESD的防范的第一二极管；以及

所述第二电阻器的主体和所述隔离阱形成可操作为提供对ESD的防范的第二二极管。

7.根据权利要求6所述的电流传感器，其中，所述第一电阻器和所述第二电阻器中的每一个包括：

第一ESD电阻器，所述第一ESD电阻器包括可操作为防范正ESD的第一极性二极管；以及

第二ESD电阻器，所述第二ESD电阻器包括可操作为防范负ESD的第二极性二极管。

8.根据权利要求7所述的电流传感器，其中，

所述第一ESD电阻器包括P型半导体；以及

所述第二ESD电阻器包括N型半导体。

9.根据权利要求1所述的电流传感器，其中，所述差分放大器包括：

第一场效应晶体管FET，其包括连接到所述第一节点的第一栅极；以及

第二FET，其包括连接到所述第二节点的第二栅极。

10.根据权利要求9所述的电流传感器，其中，当偏置电压被施加到换能器时，所述偏置电压被施加到所述第一场效应晶体管FET的源极并且所述偏置电压被施加到所述第二FET的源极。

11.根据权利要求10所述的电流传感器，其中，当所述偏置电压被施加到所述换能器时，所述偏置电压被施加到所述第一场效应晶体管FET的隔离阱并且所述偏置电压被施加到所述第二FET的隔离阱。

12.一种盘驱动器，包括：

盘；

在所述盘上方致动的头部；

飞行高度换能器，所述飞行高度换能器可操作为产生用于所述头部的飞行高度信号；以及

控制电路，所述控制电路包括可操作为检测流经所述飞行高度换能器的电流的电流传感器，所述电流传感器包括：

差分放大器，所述差分放大器包括第一节点、第二节点和输出端；

具有耦合到所述第一节点的第一端部和耦合到所述飞行高度换能器的第二端部的第一电阻器；以及

具有耦合到所述第二节点的第一端部并且还具有第二端部的第二电阻器，

其中，当所述第二电阻器的第二端部被浮置并且所述差分放大器被供电电压驱动时，所述第一节点被第一漏电流偏置并且所述第二节点被第二漏电流偏置，使得所述输出端表示流经所述飞行高度换能器的电流。

13.根据权利要求12所述的盘驱动器，其中，所述飞行高度换能器包括隧穿传感器。

14.一种使用差分放大器感测电流的方法，所述差分放大器包括第一节点、第二节点和输出端，所述方法包括：

将第一电阻器的第一端部耦合到所述第一节点，并且将所述第一电阻器的第二端部耦合到换能器；

将第二电阻器的第一端部耦合到所述第二节点，并且不连接所述第二电阻器的第二端部；并且

以第一漏电流偏置所述第一节点，并且以第二漏电流偏置所述第二节点，使得所述输出端表示流经所述换能器的电流。